処理中

しばらくお待ちください...

PATENTSCOPE は、メンテナンスのため次の日時に数時間サービスを休止します。サービス休止: 土曜日 31.10.2020 (7:00 午前 CET)
設定

設定

出願の表示

1. WO2011065221 - ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法

公開番号 WO/2011/065221
公開日 03.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/069930
国際出願日 09.11.2010
IPC
C23C 16/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
CPC
C07F 15/0053
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
15Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
0006compounds of the platinum group
0046Ruthenium compounds
0053without a metal-carbon linkage
C23C 16/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
C23C 16/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
16from metal carbonyl compounds
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 齊藤 隆一 SAITO, Ryuichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鄭 康巨 CHUNG, Kang-go [KR]/[JP] (UsOnly)
  • 西村 秀樹 NISHIMURA, Hideki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 酒井 達也 SAKAI, Tatsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 齊藤 隆一 SAITO, Ryuichi
  • 鄭 康巨 CHUNG, Kang-go
  • 西村 秀樹 NISHIMURA, Hideki
  • 酒井 達也 SAKAI, Tatsuya
代理人
  • 衡田 直行 HIRATA, Naoyuki
優先権情報
2009-26723325.11.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RUTHENIUM-FILM FORMING MATERIAL AND RUTHENIUM-FILM FORMING METHOD
(FR) MATIÈRE FORMANT UN FILM DE RUTHÉNIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE RUTHÉNIUM
(JA) ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法
要約
(EN)
Disclosed is a ruthenium-film forming material which can be used to obtain a high-quality ruthenium film having few residual impurities and excellent storage stability. The ruthenium-film forming material contains a compound represented by general formula (1). (In general formula (1), R1-R4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a C 1-10 hydrocarbon group or a C 1-10 halogenated hydrocarbon group, and R5 represents a C 1-12 divalent hydrocarbon group or a C 1-12 divalent halogenated hydrocarbon group.)
(FR)
L'invention porte sur une matière formant un film de ruthénium qui peut être utilisée pour obtenir un film de ruthénium de haute qualité ayant peu d'impuretés résiduelles et une excellente stabilité au stockage. La matière formant un film de ruthénium contient un composé représenté par la formule générale (1). (Dans la formule générale (1), R1-R4 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un radical hydrocarboné en C1-10 ou un radical hydrocarboné en C1-10 halogéné et R5 représente un radical hydrocarboné divalent en C1-12 ou un radical hydrocarboné divalent en C1-12 halogéné.)
(JA)
 保存安定性に優れ、かつ、残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができるルテニウム膜形成用材料を提供する。 下記の一般式(1)で表される化合物を含有するルテニウム膜形成用材料。 (一般式(1)中、R~Rは、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~10の炭化水素基、または炭素数1~10のハロゲン化炭化水素基であり、Rは、炭素数1~12の2価の炭化水素基、または炭素数1~12の2価のハロゲン化炭化水素基である。)
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報