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1. WO2011065215 - ポジ型感放射線性組成物、硬化膜及びその形成方法

公開番号 WO/2011/065215
公開日 03.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/069856
国際出願日 08.11.2010
IPC
G03F 7/023 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
022キノンジアジド
023高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/075 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
075シリコン含有化合物
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0233
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
022Quinonediazides
023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
0233characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
G03F 7/0757
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
075Silicon-containing compounds
0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 花村 政暁 HANAMURA Masaaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 一戸 大吾 ICHINOHE Daigo [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 花村 政暁 HANAMURA Masaaki
  • 一戸 大吾 ICHINOHE Daigo
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
優先権情報
2009-27079227.11.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POSITIVE RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, CURED FILM, AND METHOD FOR FORMING SAME
(FR) COMPOSITION POSITIVE SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, FILM DURCI ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(JA) ポジ型感放射線性組成物、硬化膜及びその形成方法
要約
(EN)
Disclosed is a polysiloxane positive radiation-sensitive composition that has sufficient radiation sensitivity and excellent melt-flow resistance in a heating step after developing, and that is used favorably in forming: a cured film having excellent heat resistance, transparency, solvent resistance, and low dielectric properties; and a liquid crystal cell having a high voltage holding ratio. Further disclosed are the cured film formed from the composition, and a method for forming the cured film. The positive radiation-sensitive composition contains [A] a siloxane polymer, [B] a quinone diazide compound, and [C] a radiation-sensitive acid generator having a wavelength of maximum absorption that is shorter than the wavelength of maximum absorption of [B] the quinone diazide compound.
(FR)
La présente invention concerne une composition positive sensible aux rayonnements à base de polysiloxane qui possède une sensibilité suffisante aux rayonnements et une excellente résistance à l'écoulement à l'état fondu dans une étape de chauffage après développement, et qui est utilisée favorablement pour former : un film durci présentant une excellente résistance thermique, une excellente transparence, une excellente résistance aux solvants et de faibles propriétés diélectriques ; et une cellule à cristaux liquides possédant un rapport de tenue de tension élevé. L'invention concerne en outre le film durci formé à partir de la composition et un procédé de formation du film durci. La composition positive sensible aux rayonnements contient [A] un polymère siloxane, [B] un composé quinonediazide et [C] un générateur d'acide sensible aux rayonnements possédant une longueur d'onde d'absorption maximale qui est plus courte que la longueur d'onde d'absorption maximale du composé quinonediazide [B].
(JA)
 本発明の目的は、耐熱性、透明性、耐溶媒性及び低誘電性に優れた硬化膜、並びに電圧保持率が高い液晶セルを形成するために好適に用いられ、かつ十分な放射線感度、及び現像後の加熱工程における耐メルトフロー性に優れたポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される硬化膜、並びにその硬化膜の形成方法を提供することである。本発明は、[A]シロキサンポリマー、[B]キノンジアジド化合物、及び[C][B]キノンジアジド化合物の極大吸収波長より短い極大吸収波長を有する感放射線性酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物である。
他の公開
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