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1. (WO2011048845) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/048845    国際出願番号:    PCT/JP2010/060283
国際公開日: 28.04.2011 国際出願日: 17.06.2010
IPC:
H02M 7/48 (2007.01), H02H 7/20 (2006.01), H02M 1/00 (2007.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKATAKE Hiroshi [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKATAKE Hiroshi; (JP)
代理人: OIWA Masuo; 35-8, Minamimukonoso 3-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 6610033 (JP)
優先権情報:
2009-241408 20.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) APPAREIL À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor apparatus that uses a power semiconductor element provided with a primary cell and a current-sense cell. Said semiconductor apparatus, which can detect load overcurrents with high precision and can rapidly detect short-circuit currents, is provided with a first error-detection circuit (21) and a second error-detection circuit (22). In the first error-detection circuit, the output of the current-sense cell (2) is connected to the inverting input terminal (61) of an op-amp (6), and the non-inverting input terminal (62) of the op-amp (6) is connected to the source of the primary cell (1), to which a source device voltage is applied. A current/voltage conversion circuit comprising the op-amp (6) and a sense resistor (12) converts the output current from the current-sense cell (2) into a sense voltage. The first error-detection circuit compares this sense voltage with a first reference voltage and outputs an error signal. The second error-detection circuit: compares the voltage at the inverting input terminal (61) of the op-amp (6) with a second reference voltage that is set higher than the abovementioned source device voltage; and outputs an error signal.
(FR)L'invention concerne un appareil à semiconducteur utilisant un élément semiconducteur de puissance comportant une cellule primaire et une cellule détectrice de courant. L'appareil à semiconducteur est susceptible de détecter des surintensités de charge avec une grande précision et de détecter rapidement des courants de court-circuit, et comprend un premier circuit de détection d'erreur (21) et un deuxième circuit de détection d'erreur (22). Dans le premier circuit de détection d'erreur, la sortie de la cellule détectrice de courant (2) est reliée à la borne d'entrée inverseuse (61) d'un amplificateur opérationnel (6), et la borne d'entrée non inverseuse (62) de l'amplificateur opérationnel (6) est reliée à la source de la cellule primaire (1) à laquelle est appliquée une tension de dispositif source. Un circuit de conversion de courant/tension comprenant l'amplificateur opérationnel (6) et une résistance détectrice (12) convertit le courant de sortie de la cellule détectrice de courant (2) en une tension de détection. Le premier circuit de détection d'erreur compare cette tension de détection à une première tension de référence et produit un signal d'erreur. Le deuxième circuit de détection d'erreur compare la tension à la borne d'entrée inverseuse (61) de l'amplificateur opérationnel (6) à une deuxième tension de référence fixée à une valeur supérieure à celle de la tension de dispositif source, et produit un signal d'erreur.
(JA) 主セルと電流センスセルを備えたパワー半導体素子を用いた半導体装置において、高精度に負荷過電流を検出し、かつ高速に短絡電流を検出する。 電流センスセル(2)の出力をオペアンプ(6)の反転入力端子(61)に接続するとともにオペアンプ(6)の非反転入力端子(62)はソースバイアス電圧が印加された主セル(1)のソースに接続し、オペアンプ(6)とセンス抵抗(12)によって構成される電流/電圧変換回路により電流センスセル(2)の出力電流をセンス電圧に変換し、このセンス電圧と第一の基準電圧とを比較してエラー信号を出力する第一のエラー検出回路(21)と、オペアンプ(6)の反転入力端子(61)の電圧と上記ソースバイアス電圧よりも高く設定された第二の基準電圧とを比較してエラー信号を出力する第二のエラー検出回路(22)とを備えた。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)