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1. (WO2011048800) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/048800    国際出願番号:    PCT/JP2010/006199
国際公開日: 28.04.2011 国際出願日: 19.10.2010
予備審査請求日:    18.05.2011    
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUDOU, Chiaki; (米国のみ).
YAMASHITA, Kenya; (米国のみ).
NIWAYAMA, Masahiko; (米国のみ)
発明者: KUDOU, Chiaki; .
YAMASHITA, Kenya; .
NIWAYAMA, Masahiko;
代理人: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2009-244614 23.10.2009 JP
2010-207102 15.09.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCESSUS DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device (100) comprising: a semiconductor substrate (101); a first silicon carbide layer (120) which is arranged on the main surface of the semiconductor substrate (101); a first first-conductivity-type impurity region (103), a second-conductivity-type body region (104), and a second-conductivity-type contact region (131) formed in a deeper place than the first impurity region (103) in the body region and containing a second-conductivity-type impurity at a higher concentration than that in the body region, all of which are arranged in the first silicon carbide layer; a first-conductivity-type drift region (102); and a first ohmic electrode (122) which is in ohmically contact with the first impurity region (103) and the contact region (131). In the first silicon carbide layer (120), a contact trench (121) that penetrates the first impurity region (103) is provided. The first ohmic electrode (122) is arranged in the contact trench (121) so as to contact with the contact region (131) at at least a part of a lower part (121cL) of the side wall or the bottom surface (121b) of the contact trench.
(FR)Un dispositif à semi-conducteurs (100) selon l'invention comprend : un substrat semi-conducteur (101) ; une première couche de carbure de silicium (120) qui est agencée sur la surface principale du substrat semi-conducteur (101) ; une première région d'impureté d'un premier type de conductivité (103), une région de corps d'un second type de conductivité (104) et une région de contact d'un second type de conductivité (131) formée à un emplacement plus profond que la première région d'impureté (103) dans la région de corps et contenant une impureté d'un second type de conductivité en une concentration supérieure à celle dans la région de corps, toutes étant agencées dans la première couche de carbure de silicium ; une région de dérive d'un premier type de conductivité (102) ; et une première électrode ohmique (122) qui est en contact ohmique avec la première région d'impureté (103) et la région de contact (131). Dans la première couche de carbure de silicium (120), une tranchée de contact (121) qui pénètre dans la première région d'impureté (103) est prévue. La première électrode ohmique (122) est agencée dans la tranchée de contact (121) de manière à être en contact avec la région de contact (131) dans au moins une partie d'une partie inférieure (121cL) de la paroi latérale ou de la surface inférieure (121b) de la tranchée de contact.
(JA) 半導体装置100は、半導体基板101の主面上に配置された第1炭化珪素層120と、第1炭化珪素層に配置された第1導電型の第1不純物領域103、第2導電型のボディ領域104、および、ボディ領域内において第1不純物領域103よりも深い位置に配置され、ボディ領域よりも高い濃度で第2導電型の不純物を含む第2導電型のコンタクト領域と131、第1導電型のドリフト領域102と、第1不純物領域103およびコンタクト領域131にオーミック接触する第1オーミック電極122と備え、第1炭化珪素層120には、第1不純物領域103を貫通するコンタクトトレンチ121が設けられており、第1オーミック電極122は、コンタクトトレンチ121内に配置され、コンタクトトレンチの側壁下部121cLの少なくとも一部および底面121bでコンタクト領域131と接する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)