WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011046181) 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/046181    国際出願番号:    PCT/JP2010/068078
国際公開日: 21.04.2011 国際出願日: 14.10.2010
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/10 (2006.01)
出願人: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED [JP/JP]; 5-8, Higashi-shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHASHI Toyosei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWATA Masakazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YONEYAMA Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
DEJIMA Hirohisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIRAISHI Fumihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAHASHI Toyosei; (JP).
KAWATA Masakazu; (JP).
YONEYAMA Masahiro; (JP).
DEJIMA Hirohisa; (JP).
SHIRAISHI Fumihiro; (JP).
SATO Toshihiro; (JP)
代理人: ASAHI Kazuo; Nishi-Shinbashi Noa Bldg. 4th Floor, 18-9, Nishi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2009-238756 15.10.2009 JP
2009-238757 15.10.2009 JP
発明の名称: (EN) RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR WAFER-BONDED BODY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE, CORPS SOUDÉ À UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a resin composition which is used to provide a spacer (104) forming a grid shape in a planar view between a semiconductor wafer (101') and a transparent substrate (102), and is constituted of a constituent material containing alkali soluble resin, thermosetting resin, and a photo-polymerization initiator, wherein, when the semiconductor wafer (101') and the transparent substrate (102) are bonded with the spacer (104) interposed therebetween, the spacer (104) is formed on the approximately entire surface thereof in the planar view, and then the size of the warpage when the semiconductor wafer (101') has a thickness of 1/5 is 3000µm or less. Furthermore, it is preferable that the size of the warpage before the process of a semiconductor wafer-bonded body (2000) be 500µm or less, and that the increasing rate of the warpage after the process thereof be 600% or less.
(FR)La présente invention concerne une composition de résine qui est utilisée pour fournir une entretoise (104) formant une configuration de grille dans une vue plane entre une tranche semi-conductrice (101') et un substrat transparent (102), et est constituée d'une matière constitutive contenant de la résine soluble dans l'alcali, de résine thermodurcissable, et d'un initiateur de photo-polymérisation, la tranche semi-conductrice (101') et le substrat transparent (102) étant soudés avec l'entretoise (104) interposée entre eux, l'entretoise (104) étant formée sur plus ou moins la surface totale de ceux-ci dans la vue plane, et ensuite la dimension de gauchissement lorsque la tranche semi-conductrice (101') a une épaisseur de 1/5 est égale ou inférieure à 3000µm. En outre, il est préférable que la dimension du gauchissement avant le traitement d'un corps soudé à une tranche semi-conductrice (2000) soit égale ou inférieure à 500µm, et que le taux d'accroissement du gauchissement après le traitement de celui-ci soit égal ou inférieur à 600%.
(JA) 本発明の樹脂組成物は、半導体ウエハー101'と透明基板102との間に、平面視で格子状をなすスペーサ104を設けるのに用いられ、アルカリ可溶性樹脂と、熱硬化性樹脂と、光重合開始剤とを含む構成材料で構成されるものであり、半導体ウエハー101'と透明基板102とをスペーサ104を介して接合する際、スペーサ104を平面視で、そのほぼ全面に形成し、その後、半導体ウエハー101'を1/5の厚さにしたときの反りの大きさが3000μm以下となるものである。また、半導体ウエハー接合体2000の加工前では反りの大きさが500μm以下で、かつ、その加工後の反りの増大率が600%以下であるものであるのが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)