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1. (WO2011045956) 半導体装置、それを備えた表示装置、および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/045956    国際出願番号:    PCT/JP2010/059598
国際公開日: 21.04.2011 国際出願日: 07.06.2010
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/136 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAMOTO, Tadayoshi; (米国のみ).
TOMIYASU, Kazuhide; (米国のみ).
KATOH, Sumio; (米国のみ)
発明者: MIYAMOTO, Tadayoshi; .
TOMIYASU, Kazuhide; .
KATOH, Sumio;
代理人: SHIMADA, Akihiro; Shimada Patent Firm, Manseian Building, 1-10-3, Yagi-cho, Kashihara-shi, Nara 6340078 (JP)
優先権情報:
2009-239383 16.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、それを備えた表示装置、および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device including a plurality of types of semiconductor elements which have a thickness in accordance with each of the roles thereof, and are provided with structure sections manufactured in the same process. Specifically disclosed is a semiconductor device (100) which includes a TFT (40) and a photodiode (50). A gate electrode (110) of the TFT (40) and a light-shielding layer (60) of the photodiode (50) are formed in the same process. However, the film thickness of the gate electrode (110) is thin, so that the step separation of an island-shaped silicon layer (120) serving as a channel layer can be prevented at the end of the gate electrode (110). The film thickness of the light-shielding layer (60) is thick, so that light made incident from the surface on the reverse side from the surface of a glass substrate (101) on which the TFT is formed can be reliably shielded by the light-shielding layer (60). This makes it possible to increase the detection sensitivity of the photodiode (50).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs comprenant une pluralité de types d'éléments à semi-conducteurs qui ont une épaisseur conforme à chacun de leurs rôles, et sont munis de sections de structure fabriquées dans le même processus. L'invention décrit spécifiquement un dispositif à semi-conducteurs (100) qui comprend un transistor en couches mince (TFT) (40) et une photodiode (50). Une électrode de grille (110) du TFT (40) et une couche de protection contre la lumière (60) de la photodiode (50) sont formées dans le même processus. Toutefois, l'épaisseur de film de l'électrode de grille (110) est mince, de sorte que la séparation d'échelon d'une couche de silicium en forme d'îlot (120) servant de couche de canal peut être empêchée au niveau de l'extrémité de l'électrode de grille (110). L'épaisseur de film de la couche de protection contre la lumière (60) est épaisse, de sorte que la lumière incidente, provenant de la surface située du côté opposé de la surface d'un substrat en verre (101) sur laquelle le TFT est formé, peut être bloquée de façon fiable par la couche de protection contre la lumière (60). Cela permet d'augmenter la sensibilité de détection de la photodiode (50).
(JA) それぞれの役割に応じた厚みを有し、同一工程で製造された構造部を備える複数種類の半導体素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。 半導体装置(100)は、TFT(40)とフォトダイオード(50)とを含む。TFT(40)のゲート電極(110)とフォトダイオード(50)の遮光層(60)とは、同一工程で形成される。しかし、ゲート電極(110)の膜厚は薄いので、ゲート電極(110)の端部で、チャネル層となる島状シリコン層(120)が段切れすることを防止できる。遮光層(60)の膜厚は厚いので、TFTが形成されたガラス基板(101)の面と反対側の面から入射する光を遮光層(60)によって確実に遮光できる。これにより、フォトダイオード(50)の検出感度を高くすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)