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1. (WO2011043432) 半導体素子及び固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043432    国際出願番号:    PCT/JP2010/067672
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 07.10.2010
予備審査請求日:    08.08.2011    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
出願人: National University Corporation Shizuoka University [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAHITO, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YASUTOMI, Keita [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAHITO, Shoji; (JP).
YASUTOMI, Keita; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-235208 09.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À L'ÉTAT SOLIDE DE CAPTURE D'IMAGES
(JA) 半導体素子及び固体撮像装置
要約: front page image
(EN)Disclosed are a semiconductor element and a solid-state image pickup device which are each provided with a p-type substrate region (21), an n-type charge generation buried region (23) that is buried in part of the upper portion of the substrate region (21) and forms a first potential valley (PW1) so as to configure the substrate region (21) and a photodiode (D1), an n-type accumulation region (24) that is buried apart from the charge generation buried region (23) and forms a second potential valley (PW2) deeper than the first potential valley (PW1), a transfer gate insulation film (33) that is provided between the charge generation buried region (23) and the accumulation region (24), a transfer gate electrode (31) that is provided on the transfer gate insulation film (33) and controls the potential of a transfer channel formed in the substrate region (21) between the charge generation buried region (23) and the accumulation region (24), and a stair potential formation means that forms an electron shutter potential barrier having a stepped potential shape in the transfer channel, and enable the implementation of complete transfer of charge and the securement of a sufficient number of accumulated electrons.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur et un dispositif à l'état solide de capture d'images. L'élément semi-conducteur qui permet de réaliser un transfert de charge électrique complet et d'assurer un nombre d'électrons accumulés suffisant, est équipé : d'une région de base (21) de type p; d'une région intégrée de génération de charges (23) de type n intégrée dans la partie supérieure de la région de base (21) et formant un premier puits de potentiel (PW1), de façon à structurer la région de base (21) et une photodiode (D1); d'une région d'accumulation (24) de type n intégrée à distance de la région intégrée de génération de charges (23) et formant un second puits de potentiel (PW2) plus profond que le premier puits de potentiel (PW1); d'un film isolant de grille de transfert (33) agencé entre la région intégrée de génération de charges (23) et la région d'accumulation (24); d'une électrode de grille de transfert (31) agencée sur le film isolant de grille de transfert (33) et commandant le potentiel électrique d'un canal de transfert formé dans la région de base (21) entre la région intégrée de génération de charges (23) et la région d'accumulation (24); et d'un moyen de formation de potentiel en escalier formant une barrière de potentiel pour obturateur électronique prenant l'aspect d'un potentiel en forme de marche.
(JA)p型の基体領域(21)と、基体領域(21)とフォトダイオード(D1)を構成するように、基体領域(21)の上部の一部に埋め込まれ第1のポテンシャル谷(PW1)を形成するn型の電荷生成埋込領域(23)と、電荷生成埋込領域(23)から離間して埋め込まれ、第1のポテンシャル谷(PW1)よりも深い第2のポテンシャル谷(PW2)を形成するn型の蓄積領域(24)と、電荷生成埋込領域(23)と蓄積領域(24)との間に設けられた転送ゲート絶縁膜(33)と、転送ゲート絶縁膜(33)の上に設けられ、電荷生成埋込領域(23)と蓄積領域(24)との間の基体領域(21)に形成される転送チャネルの電位を制御する転送ゲート電極(31)と、転送チャネル中に、段差状ポテンシャル形状をなす電子シャッタ用電位障壁を形成する階段ポテンシャル形成手段とを備え、電荷の完全転送を実現でき、十分な蓄積電子数を確保できる半導体素子及び固体撮像装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)