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1. (WO2011043417) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043417    国際出願番号:    PCT/JP2010/067642
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 07.10.2010
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 33/62 (2010.01)
出願人: NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi, Tokushima 7748601 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SENO, Ryota [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SENO, Ryota; (JP)
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2009-235305 09.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are: a semiconductor device that comprises a semiconductor element to which a plurality of wires are bonded, wherein bonding strength of the wires is high and sufficient bonding reliability is achieved; and a method for manufacturing the semiconductor device. Specifically disclosed is a semiconductor device which is characterized by comprising a first wire that has one end bonded onto an electrode and the other end bonded to a second bonding point that is out of the electrode, and a second wire that has one end bonded onto the first wire on the electrode and the other end bonded to a third bonding point that is out of the electrode. The semiconductor device is also characterized in that the bonded portion of the first-mentioned end of the second wire covers at least a part of the upper surface and the lateral surface of the first wire.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui comprend un élément semi-conducteur auquel une pluralité de fils est liée, permettant d'obtenir une résistance de liaison des fils élevée et une fiabilité de liaison suffisante ; et à un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui est caractérisé en ce qu'il comprend un premier fil dont une extrémité est liée à une électrode et dont l'autre extrémité est liée à un deuxième point de liaison qui est à l'extérieur de l'électrode, et un second fil dont une extrémité est liée au premier fil sur l'électrode et dont l'autre extrémité est liée à un troisième point de liaison qui est à l'extérieur de l'électrode. Le dispositif à semi-conducteur est également caractérisé en ce que la partie liée de la première extrémité mentionnée du second fil recouvre au moins une partie de la surface supérieure et la surface latérale du premier fil.
(JA) 複数のワイヤがボンディングされた半導体素子を備える半導体装置であって、ワイヤの接合強度が高く、十分な接合信頼性を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する 一端が電極上にボンディングされ、他端が前記電極外の第2ボンディング点にボンディングされている第1のワイヤと、一端が前記電極上の前記第1のワイヤの上にボンディングされ、他端が前記電極外の第3ボンディング点にボンディングされている第2のワイヤと、を含み、前記第2のワイヤの前記一端のボンディング部が、前記第1のワイヤの上面及び側面の少なくとも一部を覆うことを特徴とする半導体装置である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)