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1. (WO2011043409) 酸化物超電導導体用配向膜下地層およびその成膜方法およびその成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043409    国際出願番号:    PCT/JP2010/067624
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 07.10.2010
IPC:
H01B 13/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/46 (2006.01), H01B 12/06 (2006.01)
出願人: Fujikura Ltd. [JP/JP]; 5-1, Kiba 1-chome, Kohtoh-ku, Tokyo 1358512 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HANYU Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IIJIMA Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HANYU Satoru; (JP).
IIJIMA Yasuhiro; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2009-233764 07.10.2009 JP
発明の名称: (EN) UNDERLYING LAYER OF ALIGNMENT FILM FOR OXIDE SUPERCONDUCTOR, METHOD OF FORMING SAME, AND DEVICE FOR FORMING SAME
(FR) COUCHE SOUS-JACENTE DE FILM D'ALIGNEMENT POUR SUPRACONDUCTEUR D'OXYDE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION ET SON DISPOSITIF DE FORMATION
(JA) 酸化物超電導導体用配向膜下地層およびその成膜方法およびその成膜装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method of forming an underlying layer of an alignment film for an oxide superconductor, which comprises arranging two or more kinds of targets in the longitudinal direction of a base such that the targets oppose a surface of the base; simultaneously irradiating surfaces of the two or more kinds of targets with ion beams so that constituent particles of the two or more kinds of targets are deposited on the surface of the base in the order in which the two or more kinds of targets are arranged; and forming a laminate including two or more kinds of thin layers repeatedly laminated on the surface of the base by passing the base through deposition regions of the constituent particles a plurality of times so that the constituent particles of the two or more kinds of targets are repeatedly deposited on the surface of the base at each passage of the base.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de formation d'une couche sous-jacente d'un film d'alignement pour un supraconducteur d'oxyde, lequel procédé comprend les étapes consistant à agencer deux types ou plus de cibles dans la direction longitudinale d'une base de manière à ce que les cibles s'opposent à une surface de la base ; à exposer simultanément les surfaces des deux types ou plus de cibles à des faisceaux ioniques de manière à ce que les particules constituantes des deux types ou plus de cibles soient déposées sur la surface de la base dans l'ordre dans lequel les deux types ou plus de cibles sont agencés ; et à former un stratifié incluant deux types ou plus de couches minces stratifiées à plusieurs reprises sur la surface de la base en faisant passer la base par des zones de dépôt des particules constituantes plusieurs fois de manière à ce que les particules constituantes des deux types ou plus de cibles soient déposées à plusieurs reprises sur la surface de la base à chaque passage de la base.
(JA) 酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜方法であって、2種以上のターゲットを基材の表面と対向して、前記基材の長手方向に並べて配置し;イオンビームを前記2種以上のターゲットの表面に同時に照射して、前記2種以上のターゲットの構成粒子を前記基材の表面に前記2種以上のターゲットの配置順に堆積させ;前記基材を前記構成粒子の堆積領域内を複数回通過させて、この通過毎に前記基材の表面に前記2種以上のターゲットの前記構成粒子を繰り返し堆積させて、前記基材の表面に2種以上の薄膜が繰り返し積層された積層体を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)