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1. (WO2011043339) 半導体素子及び固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043339    国際出願番号:    PCT/JP2010/067452
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 05.10.2010
予備審査請求日:    04.08.2011    
IPC:
H04N 5/335 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: National University Corporation Shizuoka University [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAHITO, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAWADA, Tomonari [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAHITO, Shoji; (JP).
SAWADA, Tomonari; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-231587 05.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子及び固体撮像装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solid-state imaging device that has good charge transfer efficiency and wherein high speed operation and a higher resolution are possible with a simple pixel structure. The solid-state imaging device is provided with a p-type semiconductor region (21); an n-type embedded region (23) that, with the semiconductor region (21), forms a photodiode; an n-type discharge region (27) that has a higher dopant density than the embedded region (23) and that discharges from the embedded region (23) a charge generated by the photodiode; an n-type read region (28) that has a higher dopant density than the embedded region (23) and that transfers and stores charge from the embedded region (23) when charge is not being discharged; and voltage gradient alteration means (31, 32) that alter the voltage gradient of the potential profile from the embedded region (23) to the read region (28) and the voltage gradient of the potential profile from the embedded region (23) to the discharge region (27), and that control the transfer and discharge of charge.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui possède un bon rendement de transfert de charge et dans lequel un fonctionnement à grande vitesse et une résolution plus élevée sont possibles avec une structure de pixel simple. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprend une région semi-conductrice de type p (21); une région incorporée de type n (23) qui, avec la région semi-conductrice (21), forme une photodiode; une région de décharge de type n (27) qui possède une densité de dopant plus élevée que la région incorporée (23) et qui décharge de la région incorporée (23) une charge générée par la photodiode; une région de lecture de type n (28) qui possède une densité de dopant plus élevée que la région incorporée (23) et qui transfère et stocke une charge provenant de la région incorporée (23) lorsqu'une charge n'est pas en cours de décharge; et un moyen de modification de gradient de tension (31, 32) qui modifie le gradient de tension du profil de potentiel allant de la région incorporée (23) à la région de lecture (28) et le gradient de tension du profil de potentiel allant de la région incorporée (23) à la région de décharge (27), et qui commande le transfert et la décharge de charge.
(JA) 電荷の転送効率が良く、画素の構造が簡単で高解像度化及び高速動作が可能な固体撮像装置を提供する。p型の半導体領域(21)と、半導体領域(21)とフォトダイオードをなすn型の埋込領域(23)と、埋込領域(23)からフォトダイオードが生成した電荷を排出する、埋込領域(23)よりも高不純物密度でn型の排出領域27と、電荷の非排出時に電荷を埋込領域(23)から転送され蓄積する、埋込領域(23)よりも高不純物密度でn型の読み出し領域(28)と、埋込領域(23)から読み出し領域(28)へ至るポテンシャルプロファイルの電位勾配、及び埋込領域(23)から排出領域27へ至るポテンシャルプロファイルの電位勾配を変化させ、電荷の転送及び排出を制御する電位勾配変更手段(31,32)とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)