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1. (WO2011043337) 低誘電率絶縁膜およびその形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043337    国際出願番号:    PCT/JP2010/067449
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 05.10.2010
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01)
出願人: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAMUKAWA, Seiji [JP/JP]; (米国のみ).
YASUHARA, Shigeo [JP/JP]; (米国のみ).
KADOMURA, Shingo [JP/JP]; (米国のみ).
SHIMAYAMA, Tsutomu [JP/JP]; (米国のみ).
YANO, Hisashi [JP/JP]; (米国のみ).
TAJIMA, Kunitoshi [JP/JP]; (米国のみ).
MATSUNAGA, Noriaki [JP/JP]; (米国のみ).
YOSHIMARU, Masaki [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: SAMUKAWA, Seiji; .
YASUHARA, Shigeo; .
KADOMURA, Shingo; .
SHIMAYAMA, Tsutomu; .
YANO, Hisashi; .
TAJIMA, Kunitoshi; .
MATSUNAGA, Noriaki; .
YOSHIMARU, Masaki;
代理人: KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-231912 05.10.2009 JP
2009-242692 21.10.2009 JP
発明の名称: (EN) LOW DIELECTRIC CONSTANT INSULATING FILM AND FORMATION METHOD THEREFOR
(FR) FILM ISOLANT À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI-CI
(JA) 低誘電率絶縁膜およびその形成方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a low dielectric constant insulating film comprising straight chain molecules in which a plurality of basic molecules with an SiO structure have been linked in a straight chain, and a polymer that is formed by linking a plurality of the straight chain molecules by including binder molecules with an SiO structure therebetween and that comprises Si atoms, O atoms, C atoms, and H atoms. When the sum total is 100% for the signal area of a signal indicating a linear SiO structure that is visible at a wavenumber of approximately 1020 cm-1, a signal indicating a network SiO structure that is visible at a wavenumber of approximately 1080 cm-1, and a signal indicating a cage SiO structure that is visible at a wavenumber of approximately 1120 cm-1, from among the peak signals of a spectrum obtained by means of analysis with Fourier transform infrared spectroscopy of said low dielectric constant insulating film, the area ratio of the signal indicating a linear SiO structure is at least 49%; and when the sum total is 100% for the signal amount of a signal indicating Si(CH3) that is visible at a wavenumber of approximately 7 cm-1 and the signal amount of a signal indicating Si(CH3)2 that is visible at a wavenumber of approximately 800 cm-1, from among the peak signals of the aforementioned spectrum, the signal amount of the signal indicating Si(CH3)2 is at least 66%.
(FR)L'invention concerne un film isolant à faible constante diélectrique, comprenant des molécules à chaîne droite dans lesquelles une pluralité de molécules de base comportant une structure d'oxyde de silicium (SiO) a été liée de façon à donner une chaîne droite et un polymère formé en liant une pluralité de molécules à chaîne droite en incluant entre elles des molécules de liaison comportant une structure SiO et comprenant des atomes de silicium, des atomes d'oxygène, des atomes de carbone et des atomes d'hydrogène. Si la somme totale est de 100 % pour la surface du signal correspondant à un signal indiquant une structure SiO linéaire visible à un nombre d'onde d'environ 1020 cm-1, un signal indiquant une structure SiO réticulée visible à un nombre d'onde d'environ 1080 cm-1 et un signal indiquant une structure SiO en cage visible à un nombre d'onde d'environ 1120 cm-1, parmi les pics de signal d'un spectre obtenu dans une analyse par spectroscopie infrarouge avec transformation de Fourier dudit film isolant à faible constante diélectrique, le rapport de surface du signal indiquant une structure SiO linéaire est d'au moins 49 %. Si la somme totale est de 100 % pour l'amplitude du signal correspondant à un signal indiquant Si(CH3) visible à un nombre d'onde d'environ 7 cm-1, et à un signal indiquant Si(CH3)2, visible à un nombre d'onde d'environ 800 cm-1, parmi les pics de signal dudit spectre, l'amplitude du signal indiquant Si(CH3)2 est d'au moins 66 %.
(JA) SiO構造を含む基本分子の複数個を直鎖状に結合した直鎖状分子と、この直鎖状分子の複数個を、間にSiO構造を含むバインダー分子を介在させて結合してなり、Si原子、O原子、C原子、及びH原子を含む重合体からなる低誘電率絶縁膜。該低誘電率絶縁膜をフーリエ変換赤外分光法により分析して得たスペクトルのピーク信号のうち、波数1020cm-1近傍に見られるリニア型SiO構造を示す信号、波数1080cm-1近傍に見られるネットワーク型SiO構造を示す信号、及び波数1120cm-1近傍に見られるケージ型SiO構造を示す信号の3種の信号面積の総和を100%としたとき、リニア型SiO構造を示す信号の面積比が49%以上であり、かつ前記スペクトルのピーク信号のうち、波数7cm-1近傍に見られるSi(CH)を示す信号の信号量と、波数800cm-1近傍に見られるSi(CHを示す信号の信号量の総和を100%としたとき、Si(CHを示す信号の信号量が66%以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)