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1. (WO2011043265) 扁平形状のNi粒子、それを用いた積層セラミック電子部品、および扁平形状のNi粒子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043265    国際出願番号:    PCT/JP2010/067253
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 01.10.2010
IPC:
B22F 1/00 (2006.01), B22F 9/04 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HOSOKAWA, Takao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HOSOKAWA, Takao; (JP)
優先権情報:
2009-231627 05.10.2009 JP
発明の名称: (EN) FLAT Ni PARTICLE, MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR FLAT Ni PARTICLE
(FR) PARTICULE DE Ni PLATE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE CÉRAMIQUE MULTICOUCHE UTILISANT CETTE PARTICULE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PARTICULES DE Ni PLATES
(JA) 扁平形状のNi粒子、それを用いた積層セラミック電子部品、および扁平形状のNi粒子の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a flat Ni particle with a high specific surface area that, when used in the inner electrode of a multilayer ceramic electronic component, leaves no residual binder during debinding. The flat Ni particle is provided with a thickness (t) (m), a specific gravity (ρ) (g/m3), a radius (r) (m), and a specific surface area (S1) (m2/g), and is formed in a manner such that the relationship of the specific surface area (S1) to a theoretical specific surface area for when the surface is assumed to be completely smooth, which is represented by S0=2/(ρ×t)+2√2/(ρ×r)(m2/g), is 1.5×S0 < S1 < 1.9×S0.
(FR)L'invention porte sur une particule de Ni plate possédant une grande surface spécifique qui, lorsqu'elle est utilisée dans l'électrode interne d'un composant électronique céramique multicouche, ne laisse pas de liant résiduel pendant le déliement. La particule de Ni plate possède une épaisseur (t) (m), une masse spécifique (ρ) (g/m3), un rayon (r) (m) et une surface spécifique (S1) (m2/g), et elle est formée de telle sorte que la relation de la surface spécifique (S1) à la surface spécifique théorique au moment où la surface est considérée comme étant entièrement lisse, est représentée par la formule S0 = 2/(ρ×t)+2√2/(ρ×r)(m2/g), est 1,5 × S0 < S1 < 1,9 × S0.
(JA) 積層セラミック電子部品の内部電極に使用した場合に、脱バインダー工程においてバインダーが残留しない、比表面積の大きい扁平形状のNi粒子を提供する。 本発明の扁平形状のNi粒子は、厚みt(m)と、比重ρ(g/m3)と、半径r(m)と、比表面積S1(m2/g)とを有し、S0=2/(ρ×t)+2√2/(ρ×r)(m2/g)で表される、表面が完全に平滑であると仮定した場合の理論上の比表面積に対し、比表面積S1が、1.5×S0<S1<1.9×S0の関係となるようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)