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1. (WO2011043263) 成膜方法及びプラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043263    国際出願番号:    PCT/JP2010/067246
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 01.10.2010
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMASAKI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NUNOSHIGE, Yu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMASAKI, Hideaki; (JP).
NUNOSHIGE, Yu; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-Chome, Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
2009-235308 09.10.2009 JP
2010-076587 30.03.2010 JP
発明の名称: (EN) FILM-FORMING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) 成膜方法及びプラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a film-forming method wherein a thin film is formed on the surface of a subject to be processed, in a processing container that is configured such that air can be released therefrom. The method has: a metal film forming step, wherein a metal film containing titanium is formed as the thin film by means of a plasma CVD method in the processing container using a raw material gas; and an annealing step, wherein the metal film is annealed in the processing container.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation de film, dans lequel un film mince est formé sur la surface d'un sujet devant être traité, dans un récipient de traitement qui est configuré de telle sorte que de l'air peut être libéré à partir de celui-ci. Le procédé comprend une étape de formation de film métallique, dans laquelle un film contenant du titane est formé sous la forme du film mince à l'aide d'un procédé de déposition en phase vapeur par procédé chimique au plasma dans le récipient de traitement à l'aide d'un gaz de matière première; et une étape de recuit, dans laquelle le film métallique est recuit dans le récipient de traitement.
(JA) 真空排気が可能に構成された処理容器内で被処理体の表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマCVD法により薄膜としてチタンを含む金属膜を形成する金属膜形成手順と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール手順とを有することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)