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1. (WO2011043235) 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043235    国際出願番号:    PCT/JP2010/067019
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 30.09.2010
IPC:
C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
出願人: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAMI Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKISAWA Masakatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAMI Hideo; (JP).
IKISAWA Masakatsu; (JP)
代理人: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 1-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-232466 06.10.2009 JP
発明の名称: (EN) INDIUM OXIDE SINTERED BODY, INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) CORPS FRITTÉ EN OXYDE D'INDIUM, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT EN OXYDE D'INDIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an indium oxide sintered body containing zirconium as an additive, wherein the ratio of the atomic concentration of zirconium to the sum of the atomic concentration of indium and the atomic concentration of zirconium is within a range of 0.5-4 %, the relative density is 99.3 %, and the bulk resistivity is 0.5 mΩ∙cm or less. An indium oxide transparent conductive film, wherein transmissivity in the visible light region and infrared region is high, the film resistivity is low, and crystallization temperature can be controlled, a method for manufacturing the indium oxide transparent conductive film, and the oxide sintered body to be used for the purpose of manufacturing the transparent conductive film are disclosed.
(FR)Corps fritté en oxyde d'indium contenant du zirconium à titre d'additif. Dans ledit corps fritté, le rapport de la concentration atomique du zirconium à la somme de la concentration atomique de l'indium et de la concentration atomique de zirconium est dans une plage de 0,5 à 4 %, la densité relative est de 99,3 %, et la résistivité de volume est de 0,5 mΩ∙cm ou moins. Un film conducteur transparent en oxyde d'indium ayant une transmissivité élevée dans le domaine de la lumière visible et celui de l'infrarouge, une résistivité de film basse et une température de cristallisation ajustable est décrit. Un procédé de production dudit film conducteur transparent en oxyde d'indium, et le corps fritté en oxyde utilisé pour produire le film conducteur transparent selon l'invention sont également décrits.
(JA)添加物としてジルコニウムを含有する酸化インジウム焼結体であって、ジルコニウムの原子濃度の、インジウムの原子濃度とジルコニウムの原子濃度の総和に対する比率が0.5~4%の範囲であり、相対密度が99.3%以上であって、バルク抵抗が0.5mΩ・cm以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体。本発明は、可視光領域及び赤外線領域において高透過率であり、かつ、膜の抵抗率が低く、結晶化温度が制御可能な酸化インジウム透明導電膜及びその製造方法並びに該透明導電膜を作製するために用いられる酸化物焼結体を提供することを目的とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)