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1. (WO2011043183) 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置を備えた表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/043183    国際出願番号:    PCT/JP2010/066287
国際公開日: 14.04.2011 国際出願日: 21.09.2010
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), G02F 1/135 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUKIZONO Hiroshi; (米国のみ).
KIMURA Tomohiro; (米国のみ).
OGAWA Hiroyuki; (米国のみ)
発明者: MATSUKIZONO Hiroshi; .
KIMURA Tomohiro; .
OGAWA Hiroyuki;
代理人: OKUDA Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2009-233255 07.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCTION OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH THE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉQUIPÉ DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置を備えた表示装置
要約: front page image
(EN)A thin film diode (100A) comprising a semiconductor layer (130) having first, second and third semiconductor regions, a first insulating layer (122) formed on the semiconductor layer (130), and a second insulating layer (123) formed on the first insulating layer (122), wherein the first semiconductor region (134A) contains a first-conductivity-type impurity at a first concentration, the second semiconductor region (135A) contains a second-conductivity-type impurity that is different from the first-conductivity-type impurity at a second concentration, the third semiconductor region (133A) contains the first-conductivity-type impurity at a third concentration that is lower than the first concentration or contains the second-conductivity-type impurity at a third concentration that is lower than the second concentration, and the first semiconductor region (134A) corresponds to the opening pattern of the second insulating layer (123) or the second semiconductor region (135A) corresponds to the opening pattern of the second insulating layer (123).
(FR)Une diode à films minces (100A) comprenant une couche semi-conductrice (130) ayant des première, deuxième et troisième régions semi-conductrices, une première couche isolante (122) formée sur la couche semi-conductrice (130) et une seconde couche isolante (123) formée sur la première couche isolante (122). La première région semi-conductrice (134A) contient une impureté d'un premier type de conductivité à une première concentration, la deuxième région semi-conductrice (135A) contient une impureté d'un deuxième type de conductivité, qui est différente de l'impureté du premier type de conductivité, à une deuxième concentration, la troisième région semi-conductrice (133A) contient l'impureté du premier type de conductivité à une troisième concentration qui est inférieure à la première concentration ou contient l'impureté du deuxième type de conductivité à une troisième concentration qui est inférieure à la deuxième concentration. La première région semi-conductrice (134A) correspond au motif d'ouverture de la seconde couche isolante (123) ou la deuxième région semi-conductrice (135A) correspond au motif d'ouverture de la seconde couche isolante (123).
(JA) 薄膜ダイオード(100A)は、第1、第2および第3半導体領域を有する半導体層(130)と、半導体層(130)上に形成された第1絶縁層(122)と、第1絶縁層(122)上に形成された第2絶縁層(123)とを有し、第1半導体領域(134A)は第1導電型不純物を第1の濃度で含有し、第2半導体領域(135A)は第1導電型と異なる第2導電型不純物を第2の濃度で含有し、第3半導体領域(133A)は第1導電型不純物を第1の濃度よりも低い第3の濃度で含有する、または、第2導電型不純物を第2の濃度よりも低い第3の濃度で含有し、第1半導体領域(134A)は、第2絶縁層(123)の開口パターンに整合している、あるいは、第2半導体領域(135A)は、第2絶縁層(123)の開口パターンに整合している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)