WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011040537) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040537    国際出願番号:    PCT/JP2010/067106
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 30.09.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAMURA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKA, Shinsuke; (JP).
KITAMURA, Masayuki; (JP)
代理人: HAGIWARA, Yasushi; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
優先権情報:
2009-229654 01.10.2009 JP
発明の名称: (EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed are a plasma treatment method and a plasma treatment apparatus, wherein the impurity concentration of a thin film, which is formed by means of a microwave plasma treatment apparatus provided with a dielectric body for introducing electromagnetic waves into a treatment chamber, is suppressed low and the excellent film can be obtained. In the plasma treatment method, a substrate is stored in the treatment chamber, electromagnetic waves are supplied to the treatment chamber from an electromagnetic wave source by transmitting the electromagnetic waves through one or more dielectric bodies exposed in the treatment chamber, and the substrate is treated by exciting plasma in the treatment chamber. The method has a pre-coat step wherein the surface of the dielectric body exposed in the treatment chamber is covered with a film before treating the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de traitement par plasma permettant de limiter à un minimum la concentration en impuretés d'un film mince formé au moyen d'un appareil de traitement par plasma à micro-ondes muni d'un corps diélectrique destiné à introduire des ondes électromagnétiques dans une chambre de traitement, et d'obtenir un excellent film. Dans le procédé de traitement par plasma selon l'invention, un substrat est placé dans la chambre de traitement, des ondes électromagnétiques sont introduites dans la chambre de traitement à partir d'une source d'ondes électromagnétiques en transmettant les ondes électromagnétiques à travers un ou plusieurs corps diélectriques exposés dans la chambre de traitement et le substrat est traité en excitant un plasma dans la chambre de traitement. Le procédé comporte une étape de pré-revêtement lors de laquelle la surface du corps diélectrique exposé dans la chambre de traitement est recouverte d'un film avant de traiter le substrat.
(JA)【課題】電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】処理室に基板を収納し、電磁波源から前記処理室の内部に露出している1または2以上の誘電体を透過させて前記処理室内に電磁波を供給し、前記処理室内にプラズマを励起させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、 前記基板の処理に先立ち前記処理室の内部に露出する前記誘電体の表面を膜で被覆するプリコート工程を有する、プラズマ処理方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)