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1. (WO2011040484) シリコンエッチング液およびエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040484    国際出願番号:    PCT/JP2010/066978
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 29.09.2010
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIOTO, Yoshiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SOTOAKA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJIOTO, Yoshiko; (JP).
SOTOAKA, Ryuji; (JP)
代理人: OHTANI, Tamotsu; OHTANI PATENT OFFICE, Bridgestone Toranomon Bldg. 6F., 25-2, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-230477 02.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SILICON ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD
(FR) SOLUTION DE GRAVURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) シリコンエッチング液およびエッチング方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are: an etching solution in which the decrease in the rate of Si etching, which is a characteristic phenomenon in an etching solution containing hydroxylamine and is caused when Cu is present in the solution can be prevented in the etching process of silicon, particularly an anisotropic etching process of silicon in the production of a semiconductor or a MEMS part and can achieve a high etching rate; and an etching method. Specifically disclosed are: a silicon etching solution which is an alkaline water-soluble solution containing an alkaline hydroxide, hydroxylamine and a thiourea compound and is characterized by capable of dissolving single crystal silicon in an anisotropic manner; and a silicon etching method using the etching solution.
(FR)L'invention concerne une solution de gravure dans laquelle on peut prévenir la diminution de la vitesse de gravure de Si, qui constitue un phénomène caractéristique dans une solution de gravure contenant de l'hydroxylamine et est due à la présence de Cu dans la solution, dans le procédé de gravure de silicium, en particulier dans un procédé de gravure anisotrope de silicium en vue de la production d'un semi-conducteur ou d'une partie MEMS, afin d'obtenir une vitesse de gravure élevée; et un procédé de gravure. L'invention concerne spécifiquement: une solution de gravure de silicium qui forme une solution soluble dans l'eau contenant un hydroxyde alcalin, une hydroxylamine et un composé de thio-urée et est caractérisée en ce qu'elle peut dissoudre du silicium monocristallin de manière anisotrope; et un procédé de gravure de silicium utilisant cette solution de gravure.
(JA) シリコンのエッチング加工、特に半導体やMEMS部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミンを含有するエッチング液に特徴的な、液中にCuが存在すると起こるSiエッチング速度の低下を抑制することによって、高いエッチング速度を発現するエッチング液およびエッチング方法を提供する。 アルカリ性水酸化物とヒドロキシルアミンとチオ尿素類を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)