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1. (WO2011040394) 結晶性珪素膜の成膜方法およびプラズマCVD装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040394    国際出願番号:    PCT/JP2010/066794
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 28.09.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATAYAMA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Minoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOHNO, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KATAYAMA, Daisuke; (JP).
HONDA, Minoru; (JP).
KOHNO, Masayuki; (JP).
NAKANISHI, Toshio; (JP)
代理人: HAGIWARA, Yasushi; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
優先権情報:
2009-227639 30.09.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING CRYSTALLINE SILICON FILM AND PLASMA CVD DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER UN FILM DE SILICIUM CRISTALLIN ET DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA
(JA) 結晶性珪素膜の成膜方法およびプラズマCVD装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method for forming a high-quality crystalline silicon film at a high film-formation rate by means of plasma CVD. Using a plasma CVD device for introducing microwaves from a planar antenna which has multiple holes, to inside a treatment vessel in order to generate plasma, a film-forming gas including a silicon compound represented by the formula SinH2n+2 (where n is a number of 2 or greater) is excited by microwaves, plasma is generated, and a crystalline silicon film is deposited on the surface of an object to be treated by performing plasma CVD using said plasma.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un film de silicium cristallin de qualité supérieure à une vitesse élevée de formation de film par un dépôt chimique en phase vapeur à plasma. Le procédé comprend les étapes suivantes : un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur à plasma est utilisé pour introduire des hyperfréquences provenant d'une antenne plane pourvue de multiples trous, à l'intérieur d'un récipient de traitement afin de produire un plasma ; exciter à l'aide des hyperfréquences un gaz filmogène incluant un composé de silicium représenté par la formule SinH2n+2 (dans laquelle n représente un nombre supérieur ou égal à 2); produire un plasma ; et déposer un film de silicium cristallin sur la surface d'un objet à traiter, par la mise en œuvre d'un dépôt chimique en phase vapeur utilisant ce plasma.
(JA)【課題】プラズマCVD法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。 【解決手段】複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマCVD装置を用い、式Si2n+2(ここで、nは2以上の数を意味する)で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマCVDを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)