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1. (WO2011040340) パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040340    国際出願番号:    PCT/JP2010/066592
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 24.09.2010
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: JSR Corporation [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MINEGISHI Shin-ya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAFUJI Shin-ya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANO Takanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MINEGISHI Shin-ya; (JP).
NAKAFUJI Shin-ya; (JP).
NAKANO Takanori; (JP)
代理人: KOJIMA Seiji; JINGUHIGASHI ATSUTA Bldg., 4F., 8-20, Jingu 3-chome, Atsuta-ku, Nagoya-shi, Aichi 4560031 (JP)
優先権情報:
2009-225440 29.09.2009 JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD AND COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE
(JA) パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物
要約: front page image
(EN)Disclosed is a composition for forming a resist underlayer film, which is capable of forming a resist underlayer film that has a function as an antireflection film and has excellent pattern transferability and etching resistance. Also disclosed is a pattern forming method using the composition for forming a resist underlayer film. The pattern forming method comprises: (1) a step in which a resist underlayer film is formed, on a substrate to be processed, using a specific composition for forming a resist underlayer film; (1') a step in which an intermediate layer is formed on the resist underlayer film; (2) a step in which a resist coating film is formed on the resist underlayer film, on which the intermediate layer has been formed, by applying a resist composition thereto; (3) a step in which the resist coating film is exposed by selectively irradiating the resist coating film with radiation; (4) a step in which a resist pattern is formed by developing the exposed resist coating film; and (5) a step in which a predetermined pattern is formed on the substrate to be processed by dry etching the intermediate layer, the resist underlayer film and the substrate to be processed using the resist pattern as a mask.
(FR)L'invention porte sur une composition pour former un film de sous-couche de réserve, la composition étant apte à former un film de sous-couche de réserve qui a pour fonction celle d'un film anti-réfléchissant et qui a une excellente aptitude au transfert de motif et une excellente résistance à la gravure. L'invention porte également sur un procédé de formation de motif utilisant la composition pour former un film de sous-couche de réserve. Le procédé de formation de motif comprend : (1) une étape dans laquelle un film de sous-couche de réserve est formé, sur un substrat devant être traité, à l'aide d'une composition spécifique pour former un film de sous-couche de réserve ; (1') une étape dans laquelle une couche intermédiaire est formée sur le film de sous-couche de réserve ; (2) une étape dans laquelle un film de revêtement de réserve est formé sur le film de sous-couche de réserve, sur lequel a été formée la couche intermédiaire, par application d'une composition de réserve à celui-ci ; (3) une étape dans laquelle le film de revêtement de réserve est exposé par irradiation sélective du film de revêtement de réserve par un rayonnement ; (4) une étape dans laquelle un motif de réserve est formé par développement du film de revêtement de réserve exposé ; et (5) une étape dans laquelle un motif prédéterminé est formé sur le substrat devant être traité par gravure à sec de la couche intermédiaire, du film de sous-couche de réserve et du substrat devant être traité en utilisant le motif de réserve comme masque.
(JA) 本発明の目的は、反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。本発明のパターン形成方法は、(1)被加工基板上に、特定のレジスト下層膜形成用組成物によってレジスト下層膜を形成する工程と、(1')レジスト下層膜上に中間層を形成する工程と、(2)中間層が形成されたレジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程と、(3)レジスト被膜に、選択的に放射線を照射して、該レジスト被膜を露光する工程と、(4)露光されたレジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、(5)レジストパターンをマスクとして用い、中間層、レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングして、被加工基板に所定のパターンを形成する工程と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)