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1. (WO2011040324) 半導体素子基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040324    国際出願番号:    PCT/JP2010/066529
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 24.09.2010
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), C08G 61/00 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/023 (2006.01)
出願人: ZEON CORPORATION [JP/JP]; 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008246 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISOGAI, Yukie [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISOGAI, Yukie; (JP)
代理人: TOKOSHIE PATENT FIRM; Nishishinjuku KN Bldg., 22-27, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
優先権情報:
2009-224880 29.09.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子基板
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor element substrate that comprises a resin film that is formed from a radiation-sensitive resin composition which contains a polymer having a monomer unit that has a structure wherein a cyclic olefin and a cyclic imide skeleton having a substituent of a specific structure at a nitrogen atom have one carbon-carbon bond in common, a crosslinking agent and a radiation-sensitive compound. The semiconductor element substrate is characterized in that the resin film is formed so as to be in contact with the surface of a semiconductor element that is mounted on the semiconductor element substrate or a semiconductor layer that is contained in the semiconductor element.
(FR)L'invention concerne un substrat d'élément semi-conducteur comprenant un film de résine formé à l'aide d'une composition de résine sensible au rayonnement et contenant un polymère comportant une unité monomère ayant une structure dans laquelle une oléfine cyclique et un squelette d'imide cyclique ayant un substituant à structure spécifique au niveau d'un atome d'azote ont en commun une liaison carbone-carbone, ainsi qu'un agent de réticulation et un composé sensible au rayonnement. Le substrat d'élément semi-conducteur est caractérisé en ce que le film en résine est formé de manière à être au contact avec la surface d'un élément semi-conducteur monté sur le substrat d'élément semi-conducteur ou sur une couche semi-conductrice contenue dans l'élément semi-conducteur.
(JA) 窒素原子に特定構造の置換基を有する環状イミド骨格と環状オレフィンとが1つの炭素-炭素結合を共有する構造を有する単量体の単位を有する重合体、架橋剤及び感放射線化合物を含有してなる感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、又は前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されていることを特徴とする半導体素子基板を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)