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World Intellectual Property Organization
1. (WO2011040313) 半導体モジュールおよびその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040313    国際出願番号:    PCT/JP2010/066454
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 22.09.2010
H01L 23/373 (2006.01), B23K 1/00 (2006.01), B23K 3/04 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H05K 7/20 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 11-2, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MOROZUMI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA, Yoshinari [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MOROZUMI, Akira; (JP).
IKEDA, Yoshinari; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
2009-223820 29.09.2009 JP
(JA) 半導体モジュールおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor chip (40) is bound to one main surface of an insulating substrate (60). A metal base plate (50) is bound to the other main surface of the insulating substrate (60). Subsequently, a resin case is fixed to the peripheral part of the metal base plate (50) in a member containing the semiconductor chip (40). Subsequently, a surface electrode formed on the semiconductor chip (40) is connected to an external connection terminal of the resin case through a bonding wire (81), thereby sealing the semiconductor chip (40). In this manner, a semiconductor device (10) is assembled. In the assembled semiconductor device (10), a solder (31) (32) and a reactive metal foil (30) that acts as a heat source are inserted between the metal base plate (50) and a heat sink (20), the resulting product is pressurized, an electric current is applied to the reactive metal foil (30) to cause ignition to occur, thereby melting the solder (31) (32), and the molten solder (31) (32) is solidified. In this manner, the metal base plate (50) and the heat sink (20) are bound to each other instantly at room temperature.
(FR)Une puce semi-conductrice (40) est fixée sur une surface principale d'un substrat isolant (60). Une plaque métallique de base (50) est fixée sur l'autre surface principale du substrat isolant (60). Ensuite, un boîtier en résine est fixé sur la partie périphérique de la plaque métallique de base (50) en enfermant la puce semi-conductrice (40). On connecte ensuite une électrode de surface formée sur la puce semi-conductrice (40) à une broche extérieure de connexion du boîtier en résine à l'aide d'un fil de raccordement (81), ce qui scelle la puce semi-conductrice (40). De cette manière, on a assemblé un dispositif semi-conducteur (10). Sur le dispositif semi-conducteur (10) assemblé, on insère une couche de soudure (31, 32) et un film métallique réactif (30) jouant le rôle de source de chaleur entre la plaque métallique de base (50) et un radiateur (20), on met sous pression le produit obtenu, on applique un courant électrique au film métallique réactif (30) afin de causer l'allumage et donc la fusion de la soudure (31, 32), après quoi la soudure fondue (31, 32) se solidifie. De cette manière, la plaque métallique de base (50) et le radiateur (20) sont fixés instantanément l'un à l'autre à température ambiante.
(JA) 絶縁基板(60)の一の主面に半導体チップ(40)を接合する。また、絶縁基板(60)の他の主面に金属ベース板(50)を接合する。ついで、半導体チップ(40)を含む部材の金属ベース板(50)の周縁に樹脂ケースを固定する。ついで、半導体チップ(40)上に形成された表面電極と樹脂ケースの外部接続端子をボンディングワイヤ(81)によって接続し、半導体チップ(40)を封止することで半導体装置(10)を組立てる。組立ての完了した半導体装置(10)の金属ベース板(50)と、ヒートシンク(20)との間に、はんだ(31)(32)と熱源となる反応性金属箔(30)とを挿入して加圧し、反応性金属箔(30)に電流を通電して発火させてはんだ(31)(32)を溶融させた後に凝固させることで、室温下で瞬時に金属ベース板(50)とヒートシンク(20)を接合する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)