WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011040173) 成膜装置および成膜方法、ならびに基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040173    国際出願番号:    PCT/JP2010/065034
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 02.09.2010
IPC:
C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MOROI Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASAKURA Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMORI Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MOROI Masayuki; (JP).
ASAKURA Kentaro; (JP).
NISHIMORI Takashi; (JP)
代理人: TAKAYAMA Hiroshi; Sangenjaya Horisho Bldg. 2F, 1-12-39, Taishido, Setagaya-ku, Tokyo 1540004 (JP)
優先権情報:
2009-224433 29.09.2009 JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 成膜装置および成膜方法、ならびに基板処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a film forming apparatus which comprises a chamber (1), a susceptor for supporting a wafer, a processing gas supply mechanism, a heater for heating the wafer, and a hydrogen radical supply mechanism (40) that is arranged separately from the chamber for the purpose of supplying hydrogen radicals into the chamber. The hydrogen radical supply mechanism (40) comprises a container (51) for generating hydrogen radicals, a hydrogen gas supply mechanism (42) for supplying a hydrogen gas into the container (51), a catalyst wire (53) that is arranged within the container (51), a variable direct current power supply (56) for heating the catalyst wire (53), and a hydrogen radical introduction pipe (43) for introducing hydrogen radicals, which are generated when the hydrogen gas comes into contact with the heated catalyst wire (53) within the container (51), into the chamber (1).
(FR)L'invention porte sur un appareil de formation de film, qui comprend une chambre (1), un creuset pour supporter une tranche et un mécanisme d'alimentation en gaz de traitement, un élément chauffant pour chauffer la tranche, et un mécanisme d'alimentation en radicaux hydrogène (40) qui est disposé séparément de la chambre dans le but de délivrer des radicaux hydrogène dans la chambre. Le mécanisme d'alimentation en radicaux hydrogène (40) comprend un récipient (51) pour générer des radicaux hydrogène, un mécanisme d'alimentation en gaz hydrogène (42) pour délivrer un gaz hydrogène dans le récipient (51), un fil de catalyseur (53) qui est disposé à l'intérieur du récipient (51), une alimentation en courant continu variable (56) pour chauffer le fil de catalyseur (53), et un tuyau d'introduction de radicaux hydrogène (43) pour introduire des radicaux hydrogène, qui sont générés lorsque le gaz hydrogène vient en contact avec le fil de catalyseur chauffé (53) à l'intérieur du récipient (51), à l'intérieur de la chambre (1).
(JA) 成膜装置は、チャンバと、ウエハを支持するサセプタと、処理ガス供給機構と、ウエハ加熱するヒーターと、チャンバとは別個に設けられた、チャンバ内に水素ラジカルを供給する水素ラジカル供給機構(40)とを具備する。水素ラジカル供給機構(40)は、水素ラジカルを生成する容器(51)と、容器(51)内に水素ガスを供給する水素ガス供給機構(42)と、容器(51)内に設けられた触媒ワイヤ(53)と、触媒ワイヤ(53)を加熱する可変直流電源(56)と、容器(51)内で加熱された触媒ワイヤ(53)に水素ガスが接触して生成した水素ラジカルをチャンバ1に導入する水素ラジカル導入配管(43)とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)