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1. (WO2011040155) 有機半導体膜の製造方法および有機半導体膜アレイ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040155    国際出願番号:    PCT/JP2010/064488
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 26.08.2010
IPC:
H01L 21/368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
出願人: OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEYA Junichi; (米国のみ).
UEMURA Takafumi; (米国のみ)
発明者: TAKEYA Junichi; .
UEMURA Takafumi;
代理人: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
優先権情報:
2009-230451 02.10.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM ARRAY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE ET RÉSEAU SUR FILM SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体膜の製造方法および有機半導体膜アレイ
要約: front page image
(EN)A raw material solution containing an organic semiconductor material and a solvent is applied on a substrate (1), and organic semiconductor films (4) are formed on the substrate by drying the raw material solution. A contact member (7) having a plurality of contact surfaces (6a) disposed thereon is used, said contact surfaces having the raw material solution adhered thereon, respectively. The contact member is disposed such that the contact surfaces have a predetermined relationship with respect to the surface of the substrate, a plurality of droplets (3) of the raw material solution are formed on the substrate, and a droplet retained state, wherein the droplets are retained on the contact surfaces, respectively, is formed. The solvent in the droplets is evaporated, and organic semiconductor films are formed at the positions on the substrate surfaces that correspond to the contact surfaces. Thus, the organic semiconductor films, which can be manufactured by means of a simple step using a coat method, and furthermore, which have a high charge mobility, can be manufactured.
(FR)L'invention concerne un procédé caractérisé en ce qu'une solution de matière première contenant un matériau semiconducteur organique et un solvant est appliquée sur un substrat (1) et en ce que des films semiconducteurs organiques (4) sont formés sur le substrat en asséchant la solution de matière première. Un élément (7) de contact, sur lequel est disposée une pluralité de surfaces (6a) de contact, est utilisé, la solution de matière première adhérant respectivement sur lesdites surfaces de contact. L'élément de contact est disposé de telle manière que les surfaces de contact occupent une position prédéterminée par rapport à la surface du substrat, une pluralité de gouttelettes (3) de la solution de matière première est formée sur le substrat et un état de retenue des gouttelettes, où les gouttelettes sont retenues respectivement sur les surfaces de contact, est formé. Le solvant présent dans les gouttelettes est évaporé, et des films semiconducteurs organiques sont formés aux positions des surfaces du substrat qui correspondent aux surfaces de contact. Il est ainsi possible de fabriquer des films semiconducteurs organiques qui sont réalisables au moyen d'une étape simple par un procédé de revêtement et qui sont en outre caractérisés par une grande mobilité des charges.
(JA) 有機半導体材料及び溶媒を含む原料溶液を基板1上に供給し、原料溶液を乾燥させることにより有機半導体膜4を前記基板上に形成する。原料溶液を各々付着させる複数の接触面6aが配置された接触部材7を用いる。基板の表面に対して接触面が一定の関係となるように接触部材が配置され、基板上に原料溶液の液滴3が複数個形成されて、それらの液滴が複数の接触面に各々保持された液滴保持状態を形成する。液滴中の溶媒を蒸発させて複数の接触面に対応する基板の表面の各々の位置に有機半導体膜を形成する。塗布法による簡易な工程により実施でき、しかも高い電荷の移動度を有する有機半導体膜を作製することが可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)