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1. (WO2011040106) GaN基板の保存方法、保存されたGaN基板ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040106    国際出願番号:    PCT/JP2010/061811
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 13.07.2010
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAHATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAHATA, Seiji; (JP)
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2009-227437 30.09.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRESERVING A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, PRESERVED GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉSERVATION D'UN SUBSTRAT DE NITRURE DE GALLIUM, SUBSTRAT DE NITRURE DE GALLIUM PRÉSERVÉ, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) GaN基板の保存方法、保存されたGaN基板ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for preserving a gallium nitride substrate (1) that has a principal surface with a plane orientation other than (0001) or (000-1) and can be used to manufacture a semiconductor device having good characteristics. Said gallium nitride substrate has a flat first principal surface (1m), and the plane orientation at an arbitrary point P on the first principal surface (1m), said point P being at least 3 mm away from the outer edge of the first principal surface, is tilted at an angle Δα, between −10° and 10°, with respect to the plane orientation of an arbitrary crystal plane (1a) tilted at an angle between 50° and 90° with respect to either a (0001) surface or a (000-1) surface (1c) at point P. In the provided method, the aforementioned gallium nitride substrate is preserved in an atmosphere having an oxygen concentration of no more than 15% by volume and a water vapor concentration of no more than 20 g/m³.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de préservation d'un substrat de nitrure de gallium (1) qui présente une surface principale avec une orientation plane autre que (0001) ou (000-1) et qui peut être utilisé pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur présentant de bonnes caractéristiques. Ledit substrat de nitrure de gallium présente une première surface principale plate (1m). L'orientation plane au niveau d'un point arbitraire (P) sur la première surface principale (1m), ledit point (P) étant distant d'au moins 3 mm du bord externe de la première surface principale, est inclinée à un angle Δα, compris entre −10° et 10°, par rapport à l'orientation plane d'un plan cristallin arbitraire (1a) incliné selon un angle compris entre 50° et 90° par rapport soit à une surface de (0001), soit à une surface de (000-1) (1c) au niveau du point P. Selon le procédé proposé, le substrat de nitrure de gallium susmentionné est préservé dans une atmosphère ayant une concentration en oxygène inférieure ou égale à 15 % en volume et une concentration en vapeur d'eau inférieure ou égale à 20 g/m³.
(JA) 本GaN基板の保存方法は、平坦な第1の主面(1m)を有し、第1の主面(1m)上でその外縁から3mm以上離れた任意の点Pにおける面方位が、その任意の点Pにおける(0001)面および(000-1)面のいずれかの面(1c)に対して50°以上90°以下で傾斜している任意に特定される結晶面(1a)の面方位に対して、-10°以上10°以下のずれ傾斜角Δαを有するGaN基板(1)を、酸素濃度が15体積%以下および水蒸気濃度が20g/m3以下の雰囲気中で保存する。このようにして、特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が(0001)および(000-1)以外のGaN基板の保存方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)