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1. (WO2011040078) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/040078    国際出願番号:    PCT/JP2010/057768
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 06.05.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKAI, Satoshi; (JP).
KOBAYASHI, Yasuyuki; (JP)
代理人: FUJITA, Takaharu; 37F The Landmark Tower Yokohama, 2-2-1, Minatomirai, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208137 (JP)
優先権情報:
2009-224597 29.09.2009 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約: front page image
(EN)Provided is a photoelectric conversion device provided with an intermediate contact layer, the reflection characteristics of which are optimized. A photoelectric conversion device (100) is provided with a transparent electrode layer (2) which is provided on a substrate (1) and which is provided with an uneven structure on a surface opposite to the substrate (1), a photoelectric conversion layer (3) comprised of two power generation layers (91, 92), an underside electrode layer (4), and an intermediate contact layer (5) provided between the two power generation layers (91, 92). The intermediate contact layer (5) is comprised of a titanium oxide film mainly composed of titanium oxide, and an underside transparent conductive film mainly composed of transparent conductive oxide, in this order from the substrate (1) side. The thickness of the titanium oxide film is in a range of 65-110 nm inclusive when the thickness of the underside transparent conductive film is 5 nm, and likewise, 65-95 nm inclusive when 10 nm, 65-90 nm inclusive when 15 nm, 60-85 nm inclusive when 20 nm, 55-70 nm inclusive when 25 nm, and 55-65 nm inclusive when 30 nm.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif de conversion photoélectrique comprenant une couche de contact intermédiaire, dont les propriétés de réfléchissement sont optimisées. Selon l'invention, un dispositif de conversion photoélectrique (100) comprend : une couche d'électrode transparente (2) qui est placée sur un substrat (1) et qui comprend une structure irrégulière sur une surface opposée au substrat (1) ; une couche de conversion photoélectrique (3) comprenant deux couches de génération de puissance (91, 92) ; une couche d'électrode inférieure (4) ; et une couche de contact intermédiaire (5) placée entre les deux couches de génération de puissance (91, 92). La couche de contact intermédiaire (5) comprend une couche mince d'oxyde de titane principalement composée d'oxyde de titane, et une couche mince conductrice transparente inférieure principalement composée d'un oxyde conducteur transparent, dans cet ordre, depuis le côté substrat (1). L'épaisseur de la couche mince d'oxyde de titane se situe dans une plage allant de 65 à 110 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 5 nm et, de la même manière, elle se situe dans une plage allant de 65 à 95 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 10 nm, dans une plage allant de 65 à 90 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 15 nm, dans une plage allant de 60 à 85 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 20 nm, dans une plage allant de 55 à 70 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 25 nm, et dans une plage allant de 55 à 65 nm inclus quand l'épaisseur de la couche mince conductrice transparente inférieure est de 30 nm.
(JA) 反射特性が最適化された中間コンタクト層を備える光電変換装置を提供する。基板(1)上に基板(1)と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層(2)と、2つの発電層(91,92)からなる光電変換層(3)と、裏面電極層(4)と、2つの発電層(91,92)の間に設けられる中間コンタクト層(5)とを備え、中間コンタクト層(5)が、基板(1)側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、酸化チタン膜の膜厚が、裏面側透明導電膜の膜厚が5nmのときに65nm以上110nm以下、10nmのときに65nm以上95nm以下、15nmのときに65nm以上90nm以下、20nmのときに60nm以上85nm以下、25nmのときに55nm以上70nm以下、及び、30nmのときに55nm以上65nm以下で表される領域の範囲内である光電変換装置(100)。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)