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1. (WO2011039898) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/039898    国際出願番号:    PCT/JP2010/001165
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 23.02.2010
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOSAKA, Takayoshi; (米国のみ)
発明者: KOSAKA, Takayoshi;
代理人: FUKUI, Toyoaki; FUKUI & PARTNERS Room 860, Uchihonmachi Matsuya Bldg.10th 1-19, Uchihonmachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400026 (JP)
優先権情報:
2009-230215 02.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約: front page image
(EN)In the provided semiconductor device manufacturing method, an opening is formed in an interlayer insulation film that includes a layered film, said layered film comprising a first insulation film, a second insulation film, and a third insulation film layered sequentially. The inside of the opening is then plasma-treated to form a modified layer. Using a chemical treatment to selectively remove the modified layer, the part of the side wall inside the opening that comprises the second insulation film is tapered with a larger angle than the parts of the side wall comprising the first insulation film and the third insulation film. Next, a groove for wire embedding is formed such that the bottom surface thereof falls within the second insulation film. After the upper end of the opening is formed so as to be wider than the bottom of the opening, a copper film is embedded.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, incluant la formation d'une ouverture dans le film isolant intermédiaire comprenant un film stratifié, ledit film stratifié comprenant un premier film isolant, un deuxième film isolant, et un troisième film isolant, séquentiellement stratifiés. L'intérieur de l'ouverture est ensuite traité par plasma pour former une couche modifiée. En utilisant un traitement chimique pour retirer sélectivement la couche modifiée, la partie de la paroi latérale à l'intérieur de l'ouverture comprenant le deuxième film isolant est inclinée avec un angle plus grand que les parties de la paroi latérale comprenant le premier film isolant et le troisième film isolant. Une rainure pour enrobage de fil est ensuite formée de façon à ce que sa surface inférieure tombe dans le deuxième film isolant. Après formation de l'extrémité supérieure de l'ouverture pour qu'elle soit plus grande que le fond de l'ouverture, un film de cuivre est incorporé.
(JA) 本発明に係る半導体装置の製造方法では、第1絶縁膜、第2絶縁膜および第3絶縁膜が順次積層された積層膜を含む層間絶縁膜に開口を形成した後、当該開口の内部にプラズマ処理を行って変質層を形成する。この変質層を薬液処理により選択的に除去することにより、開口内部の第2絶縁膜からなる側壁面に、第1絶縁膜および第3絶縁膜からなる側壁面よりも大きい角度のテーパーが形成される。次に、配線埋め込み用の溝を、その底面が第2絶縁膜内に位置するように形成して開口上端部が開口下部よりも広がる形状にした後、銅膜が埋め込まれる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)