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1. (WO2011039800) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/039800    国際出願番号:    PCT/JP2009/004981
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 29.09.2009
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YUMOTO, Miki; (米国のみ).
KURAGUCHI, Masahiko; (米国のみ)
発明者: YUMOTO, Miki; .
KURAGUCHI, Masahiko;
代理人: MATSUYAMA, Masayuki; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein suppression of the short channel effect, decrease of the gate leakage current, retention of the large gate capacity, decrease of the interface states between the semiconductor layer and the gate insulating film, and decrease of the capacity between the gate electrode and the drain electrode can be achieved at the same time. The semiconductor device is characterized by comprising: a semiconductor layer which is composed of a group III-V nitride semiconductor; a groove part which is formed in the semiconductor layer; a gate insulating film which is a multilayer film that is formed on at least the bottom surface of the groove part and composed of a first insulating film and a second insulating film having a higher dielectric constant than the first insulating film; a gate electrode which is formed on the gate insulating film; and a source electrode and a drain electrode which are formed on the semiconductor layer with the gate electrode being interposed therebetween. The semiconductor device is also characterized in that the second gate insulating film is selectively formed only below the gate electrode.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur caractérisé en ce qu'il permet de réaliser, en même temps : une suppression de l'effet de canal court ; une diminution du courant de fuite de grille ; un maintien de la capacité de grille élevée ; une diminution des états d'interface entre la couche semi-conductrice et la couche mince d'isolation de grille ; et une diminution de la capacité entre l'électrode grille et l'électrode déversoir. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend : une couche semi-conductrice qui est composée d'un nitrure semi-conducteur de groupe III-V ; une partie de rainure qui est formée dans la couche semi-conductrice ; une couche mince d'isolation de grille qui est une couche mince multicouche qui est formée sur au moins la surface de dessous de la partie de rainure et qui comprend une première couche mince isolante et une seconde couche mince isolante ayant une constante diélectrique plus élevée que celle de la première couche mince isolante ; une électrode grille qui est formée sur la couche mince d'isolation de grille ; et une électrode source et une électrode déversoir qui sont formées sur la couche semi-conductrice avec l'électrode grille intercalée entre elles. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention est également caractérisé en ce que la seconde couche mince d'isolation de grille est formée sélectivement uniquement en dessous de l'électrode grille.
(JA) 短チャネル効果の抑制、ゲートリーク電流の低減、大きなゲート容量の維持、半導体層とゲート絶縁膜との間の界面準位の低減、ゲート電極とドレイン電極の間の容量の低減を同時に実現する半導体装置を提供する。III-V族窒化物半導体からなる半導体層と、半導体層に形成された溝部と、少なくとも溝部の底面上に形成され、第1の絶縁膜と第1の絶縁膜よりも高誘電率の第2の絶縁膜との積層膜であるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を挟んで、半導体層上に形成されるソース電極およびドレイン電極と、を有し、第2の絶縁膜が、ゲート電極下にのみ選択的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)