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1. (WO2011039796) 電力増幅器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/039796    国際出願番号:    PCT/JP2009/004965
国際公開日: 07.04.2011 国際出願日: 29.09.2009
IPC:
H03F 3/20 (2006.01), H03F 1/08 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Tadahiro; (米国のみ).
ABE, Kazuhide; (米国のみ).
ITAYA, Kazuhiko; (米国のみ)
発明者: SASAKI, Tadahiro; .
ABE, Kazuhide; .
ITAYA, Kazuhiko;
代理人: MATSUYAMA, Masayuki; No. 403 Ginyou Bldg., 9-40, Kitasaiwai 2-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2200004 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力増幅器
要約: front page image
(EN)Disclosed is a power amplifier that suppresses unstable RF operation occurring with a power amplifier that has a MISFET and operates stably, even with a large output. The power amplifier is characterized in being equipped with: a silicon substrate; an input terminal to which an RF signal is input; a power division unit that divides the RF signal into a first signal and a second signal; a phase modulation unit that modulates the phase of the second signal; an N-well formed within the silicon substrate; a P-well that is formed inside the N-well and to which the phase-modulated second signal is input; a gate insulation film formed on the P-well; a gate electrode to which the first signal is input that is formed on the gate insulation film; a source electrode and a drain electrode formed on the silicon substrate on either side of the gate electrode, and an output terminal that outputs the RF signal obtained from the drain electrode.
(FR)La présente invention se rapporte à un amplificateur de puissance qui supprime un fonctionnement RF instable qui se produit avec un amplificateur de puissance pourvu d'un MISFET et qui fonctionne de manière stable, même avec un rendement élevé. L'amplificateur de puissance est caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat de silicium ; une borne d'entrée à laquelle est envoyé un signal RF ; un module de division de puissance qui divise le signal RF en un premier signal et un second signal ; un module de modulation de phase qui module la phase du second signal d'entrée ; un puits N qui est formé à l'intérieur du substrat de silicium ; un puits P qui est formé à l'intérieur du puits N et auquel est envoyé le second signal modulé en phase ; une couche mince isolante de grille qui est formée sur le puits P ; une électrode grille qui est formée sur la couche mince isolante de grille et à laquelle est envoyé le premier signal ; une électrode source et une électrode déversoir qui sont formées sur le substrat de silicium de chaque côté de l'électrode grille, et une borne de sortie qui délivre en sortie le signal RF obtenu de l'électrode déversoir.
(JA) MISFETを有する電力増幅器で生ずるRF動作の不安定性を抑制し、大出力でも安定して動作する電力増幅器を提供する。シリコン基板と、RF信号が入力される入力端子と、RF信号を第1の信号と第2の信号に分割する電力分割部と、第2の信号の位相を変調する位相変調部と、シリコン基板内に形成されるNウェルと、Nウェル内に形成され、位相が変調された第2の信号が入力されるPウェルと、Pウェル上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、第1の信号が入力されるゲート電極と、ゲート電極の両側のシリコン基板に形成されるソースおよびドレイン電極と、ドレイン電極から得られるRF信号を出力する出力端子と、を備えることを特徴とする電力増幅器。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)