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1. (WO2011021710) 半導体素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021710    国際出願番号:    PCT/JP2010/064133
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 17.08.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: POWDEC K.K. [JP/JP]; 739, Ichizawacho, Asahi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2410014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMIDA, Yasunobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRATA, Shoko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INADA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAGI, Shuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAI, Hiroji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUMIDA, Yasunobu; (JP).
HIRATA, Shoko; (JP).
INADA, Takayuki; (JP).
YAGI, Shuichi; (JP).
KAWAI, Hiroji; (JP)
代理人: MORI, Koh-ichi; Room 201, Park Side T, 18-12, Morino 2-chome, Machida-shi, Tokyo 1940022 (JP)
優先権情報:
2009-191004 20.08.2009 JP
2010-107394 07.05.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 半導体素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a production method for a semiconductor element that is provided with a process for directly or indirectly forming a growth mask with a plurality of striped openings upon a substrate that comprises a material differing from a GaN semiconductor, and a process for using the growth mask to grow a plurality of island-like GaN semiconductor layers upon the substrate in the (0001) plane orientation and in a manner such that the <1-100> direction of the GaN semiconductor layers extends in a direction parallel to the striped openings of the growth mask.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un élément semi-conducteur comportant un processus destiné à former directement ou indirectement un masque de croissance ayant une pluralité d'ouvertures rainurées sur un substrat comprenant un matériau différent d'un semi-conducteur GaN, et un processus destiné à utiliser le masque de croissance pour faire croître une pluralité de couches semi-conductrices GaN en forme d'îlots sur le substrat (0001) dans le sens de la vue en plan et d'une manière telle que la direction <1-100> des couches du semi-conducteur GaN s'étende dans une direction parallèle aux ouvertures rainurées du masque de croissance.
(JA)半導体素子の製造方法は、GaN系半導体と異なる物質からなる基板上に直接または間接的に複数のストライプ状の開口を有する成長マスクを形成する工程と、この成長マスクを用いて基板上に複数の島状のGaN系半導体層を(0001)面方位に、かつGaN系半導体層の〈1-100〉方向が成長マスクのストライプ状の開口に平行な方向に延在するように成長させる工程とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)