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1. (WO2011021691) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021691    国際出願番号:    PCT/JP2010/064076
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 20.08.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OGATA Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAISHI Kazushige [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMURA Hironori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKUUCHI Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIKURIYA Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAYOSHI Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OGATA Shinichi; (JP).
TAKAISHI Kazushige; (JP).
NISHIMURA Hironori; (JP).
OKUUCHI Shigeru; (JP).
MIKURIYA Shunsuke; (JP).
NAKAYOSHI Yuichi; (JP)
代理人: ABE Itsurou; ABE International Patent Office, Complete Sakaimachi BLDG. 403, 9-6, Sakaimachi 1-chome, Kokurakita-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8020005 (JP)
優先権情報:
2009-192450 21.08.2009 JP
2009-192451 21.08.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing an epitaxial silicon wafer, wherein the surface of a silicon wafer is mirror polished using a polishing liquid that is composed of an abrasive grain-free alkaline aqueous solution containing a water-soluble polymer. As a result, the polishing procedure is simplified, thereby increasing the productivity and reducing the production cost; and the density of light point defects (LPD) formed on the wafer surface after the mirror polishing due to the mirror polishing process is reduced, thereby improving the surface roughness of the wafer surface.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxiale, la surface d'une tranche de silicium étant polie par poly-optique à l'aide d'un liquide de polissage qui est composé d'une solution aqueuse alcaline sans grains abrasifs, contenant un polymère soluble dans l'eau. En conséquence, la procédure de polissage est simplifiée, permettant ainsi d'augmenter la productivité et de réduire le coût de production ; et la densité des défauts de point de lumière (LPD) formés sur la surface de tranche après le poly-optique en raison du traitement de poly-optique est réduite, permettant ainsi d'améliorer la rugosité de surface de la surface de tranche.
(JA) 水溶性高分子を含む無砥粒のアルカリ性水溶液の研磨液でシリコンウェーハの表面を鏡面研磨するので、研磨工程の簡略化で生産性が高まり、コストダウンが可能で、鏡面研磨後のウェーハ表面に生じる加工起因のLPDの密度を低減し、ウェーハ表面の表面粗さを改善できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)