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1. (WO2011021669) 薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021669    国際出願番号:    PCT/JP2010/064021
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 19.08.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C01B 33/06 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1,Kasumigaseki 1-chome,Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UCHIDA Noriyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANAYAMA Toshihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAZAKI Takehide [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UCHIDA Noriyuki; (JP).
KANAYAMA Toshihiko; (JP).
MIYAZAKI Takehide; (JP)
優先権情報:
2009-191603 21.08.2009 JP
2010-182188 17.08.2010 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a thin film transistor in which a metal silicon compound thin film is used as a channel region. Specifically disclosed is a thin film transistor which is characterized in that a metal silicon compound thin film that is composed of a compound of a transition metal and silicon is used as a channel region, said compound of a transition metal and silicon containing, as a unit structure, a transition metal-containing silicon cluster in which the transition metal is surrounded by 7-16 silicon atoms and silicon atoms are located as the first and second nearest neighboring atoms of the transition metal.
(FR)L'invention concerne un transistor en couche minces dont la région de canal est une couche mince de composé de silicium métallique. Ce transistor en couches minces est un composé de silicium et de métal de transition, possède une structure unitaire d'agrégat de silicium inclus dans le métal de transition, dans laquelle un nombre d'atomes de silicium égal ou supérieur à 7 et égal ou inférieur à 16 entoure la circonférence d'un atome de métal de transition, et se caractérise en ce que la région de canal est une couche mince de composé de silicium métallique dans laquelle le silicium est placé sur les premier et deuxième atomes adjacents de métal de transition.
(JA)本発明は、金属硅素化合物薄膜を、チャネル領域とした薄膜トランジスタを提供することを課題とする。 遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを、7個以上16個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第1及び第2近接原子にシリコンが配置されている金属珪素化合物薄膜をチャネル領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)