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1. (WO2011021599) CMP研磨液及び研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021599    国際出願番号:    PCT/JP2010/063811
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 16.08.2010
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
出願人: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANAMARU, Mamiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMADA, Tomokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHINODA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KANAMARU, Mamiko; (JP).
SHIMADA, Tomokazu; (JP).
SHINODA, Takashi; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-190422 19.08.2009 JP
発明の名称: (EN) POLISHING SOLUTION FOR CMP AND POLISHING METHOD
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE POUR POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) CMP研磨液及び研磨方法
要約: front page image
(EN)A polishing solution for CMP includes a medium and silica particles as abrasive grains dispersed in the medium. The polishing solution for CMP satisfies the following conditions: (A1) the silica particles have a silanol group density of 5.0 groups/nm2 or less; (B1) when arbitrary 20 particles are selected from an image obtained by observing the silica particles by a scanning electronic microscope, the particles have a two-axis average primary particle diameter of 25 to 55 nm; and (C1) the silica particles have an association degree of 1.1 or more. This provides a polishing solution for CMP having a high polishing speed to a barrier film, good dispersion stability of abrasive grains, and a high polishing speed to an interlayer insulating film and a polishing method in manufacturing, for example, a semiconductor substrate excellent in reduction in size, reduction in thickness, dimensional accuracy, and electric characteristics and having a high reliability and low cost.
(FR)L'invention porte sur une solution de polissage pour un polissage chimico-mécanique qui comprend un support et des particules de silice en tant que grains abrasifs dispersés dans le support. La solution de polissage pour polissage chimico-mécanique satisfait les conditions : (A1) les particules de silice ont une densité de groupe silanol de 5,0 groupes/nm2 ou moins ; (B1) lorsque 20 particules sont sélectionnées de manière arbitraire à partir d'une image obtenue par observation des particules de silice par un microscope électronique à balayage, les particules ont un diamètre de particule principal moyen à deux axes de 25 à 55 nm ; et (C1) les particules de silice ont un degré de sélection de 1,1 ou plus. Ceci fournit une solution de polissage pour polissage chimico-mécanique ayant une vitesse de polissage élevée sur un film barrière, une bonne stabilité de dispersion de grains abrasifs et une vitesse de polissage élevée sur un film isolant intercouche et un procédé de polissage dans la fabrication, par exemple, d'un substrat semi-conducteur excellent en termes de réduction de dimension, réduction d'épaisseur, précision de dimension et caractéristiques électriques et ayant une stabilité élevée et un coût bas.
(JA) 本発明は、媒体と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含む、CMP研磨液であって、(A1)前記シリカ粒子のシラノール基密度が5.0個/nm以下であり、(B1)前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の20個を選択したときの二軸平均一次粒子径が25~55nmであり、(C1)前記シリカ粒子の会合度が1.1以上であるCMP研磨液に関する。これにより、バリア膜の研磨速度が高速であり、かつ砥粒の分散安定性が良好であり、層間絶縁膜の研磨速度が高速であるCMP研磨液、及び微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体基板等の製造における研磨方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)