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1. (WO2011021578) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021578    国際出願番号:    PCT/JP2010/063729
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 06.08.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYOSHI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMURA, Hironori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAYOSHI, Yuichi; (JP).
NISHIMURA, Hironori; (JP)
代理人: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2009-190327 19.08.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a high-quality epitaxial silicon wafer which has good planarity and good film thickness uniformity. Specifically disclosed is a method for producing an epitaxial silicon wafer, which is characterized in that after the formation of an epitaxial film (20) on the surface of a silicon wafer (10) that has been subjected to mirror finish polishing, silicon deposits (21) adhered to the end portion of the back surface of the silicon wafer (10) during the formation of the epitaxial film (20) are removed by subjecting only the back surface of the silicon wafer (10) to a grinding process, a polishing process or a chemical etching process.
(FR)L'invention porte sur une tranche de silicium épitaxiale de haute qualité qui présente une bonne planarité et une bonne uniformité d'épaisseur de film. L'invention porte de manière spécifique sur un procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxiale, qui est caractérisé en ce qu'après la formation d'un film épitaxial (20) sur une surface d'une tranche de silicium (10) qui a été soumise à un poly-optique de finition, des dépôts de silicium (21) ayant adhéré à la partie d'extrémité de la surface arrière de la tranche de silicium (10) pendant la formation du film épitaxial (20) sont retirés en soumettant uniquement la surface arrière de la tranche de silicium (10) à un traitement de meulage, un traitement de polissage ou un traitement de gravure chimique.
(JA) 本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することである。解決方法としては、鏡面研磨されたシリコンウェーハ10の表面上に、エピタキシャル膜20を形成した後、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜20の形成時に前記シリコンウェーハ10の裏面端部に付着したシリコン析出物21を除去することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)