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1. (WO2011021472) 光センサ、半導体装置、及び液晶パネル
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021472    国際出願番号:    PCT/JP2010/062338
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 22.07.2010
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1335 (2006.01), G02F 1/136 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ODA Akihiro; (米国のみ).
NAKAZAWA Makoto; (米国のみ)
発明者: ODA Akihiro; .
NAKAZAWA Makoto;
代理人: KAWAKAMI Keiko; Intelix International, Aqua Dojima West, 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
優先権情報:
2009-189732 19.08.2009 JP
発明の名称: (EN) OPTICAL SENSOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL PANEL
(FR) CAPTEUR OPTIQUE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 光センサ、半導体装置、及び液晶パネル
要約: front page image
(EN)Disclosed are an optical sensor, a semiconductor device, and a liquid crystal panel wherein a thin-film diode has improved optical detection sensitivity and a semiconductor layer thereof has improved light-use efficiency, even if the semiconductor layer is thin. One side of a substrate (101) is provided with a thin-film diode (130) having a first semiconductor layer (131) containing an n-type region (131n) and a p-type region (131p), at least. A light-blocking layer (160) is provided between the substrate and the first semiconductor layer. Surface asperities are formed on the side of the light-blocking layer that faces the first semiconductor layer, and the first semiconductor layer has a texture that matches the surface asperities of the light-blocking layer. Light incident on the light-blocking layer is diffusely reflected into the first semiconductor layer. Since the first semiconductor layer has a texture that matches the surface asperities of the light-blocking layer, the distance the diffusely-reflected light travels in the first semiconductor layer is increased. As a result, the amount of light absorbed by the first semiconductor layer increases and the optical detection sensitivity improves.
(FR)L'invention porte sur un capteur optique, un dispositif à semi-conducteurs et un panneau d'affichage à cristaux liquides dans lequel une diode en couches minces a une sensibilité de détection optique améliorée et une couche semi-conductrice de celle-ci a une efficacité d'utilisation de lumière améliorée, même si la couche semi-conductrice est mince. Un côté d'un substrat (101) comporte une diode en couches minces (130) ayant une première couche semi-conductrice (131) contenant une région de type n (131n) et une région de type p (131p), au moins. Une couche de blocage de lumière (160) est disposée entre le substrat et la première couche semi-conductrice. Des aspérités de surface sont formées sur le côté de la couche de blocage de lumière qui est tourné vers la première couche semi-conductrice, et la première couche semi-conductrice a une texture qui correspond aux aspérités de surface de la couche de blocage de lumière. Une lumière incidente sur la couche de blocage de lumière est réfléchie par diffusion dans la première couche semi-conductrice. Etant donné que la première couche semi-conductrice a une texture qui correspond aux aspérités de surface de la couche de blocage de lumière, la distance sur laquelle la lumière réfléchie par diffusion se propage dans la première couche semi-conductrice est augmentée. En conséquence, la quantité de lumière absorbée par la première couche semi-conductrice augmente et la sensibilité de détection optique s'améliore.
(JA) 薄膜ダイオードの半導体層の厚みが薄くても、光利用効率を向上させて薄膜ダイオードの光検出感度を向上させる。基板(101)の一方の側に、少なくともn型領域(131n)及びp型領域(131p)を含む第1半導体層(131)を有する薄膜ダイオード(130)が設けられ、基板と第1半導体層との間に遮光層(160)が設けられている。遮光層の第1半導体層に対向する側の面に凹凸が形成されている。第1半導体層は遮光層の凹凸に沿った凹凸形状を有している。遮光層に入射した光は乱反射されて第1半導体層に入射する。第1半導体層は、遮光層の凹凸に沿った凹凸形状を有しているので、乱反射された反射光が第1半導体層内を進む距離は長くなる。その結果、第1半導体層で吸収される光が増え、光検出感度が向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)