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1. (WO2011021461) 弾性波デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021461    国際出願番号:    PCT/JP2010/062147
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 20.07.2010
IPC:
H03H 9/17 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 41/253 (2013.01), H01L 41/39 (2013.01), H03H 3/02 (2006.01), H03H 9/54 (2006.01)
出願人: TAIYO YUDEN CO.,LTD. [JP/JP]; 16-20,UENO 6-chome,Taito-ku Tokyo 1100005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIHARA ,tokihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANIGUCHI ,shinji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOYAMA ,tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEDA ,masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIHARA ,tokihiro; (JP).
TANIGUCHI ,shinji; (JP).
YOKOYAMA ,tsuyoshi; (JP).
UEDA ,masanori; (JP)
優先権情報:
2009-188531 17.08.2009 JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an elastic wave device and method for manufacturing the same for the purpose of expanding the range of selection of materials for mass-addition film and expanding the range in which resonance frequency can be adjusted. Provided is a piezoelectric thin film resonator comprising: a substrate (10); a piezoelectric thin film (14) disposed on the substrate (10); a lower electrode (12) and upper electrode (16) disposed with at least part of the piezoelectric thin film (14) held therebetween; a resonance region (50) in which the lower electrode (12) and the upper electrode (16) face each other, with the piezoelectric thin film (14) held therebetween; and a first addition film (28) which is provided in the resonance region (50) between the piezoelectric thin film (14) and the upper electrode (16), and which is of a different shape to the resonance region (50).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à onde élastique et sur un procédé de fabrication de celui-ci dans le but d'étendre la plage de sélection de matériaux pour un film en masse par addition et d'étendre la plage dans laquelle la fréquence de résonance peut être ajustée. L'invention porte sur un résonateur à film mince piézoélectrique comprenant : un substrat (10) ; un film mince piézoélectrique (14) disposé sur le substrat (10) ; une électrode inférieure (12) et une électrode supérieure (16) disposées avec au moins une partie du film mince piézoélectrique (14) maintenu entre celles-ci ; une région de résonance (50) dans laquelle l'électrode inférieure (12) et l'électrode supérieure (16) sont tournées l'une vers l'autre, avec le film mince piézoélectrique (14) maintenu entre celles-ci ; et un premier film d'addition (28) qui est disposé dans la région de résonance (50) entre le film mince piézoélectrique (14) et l'électrode supérieure (16) et qui est d'une forme différente de celle de la région de résonance (50).
(JA)【課題】質量付加膜の材料の選択の幅が広がる、または、共振周波数を調整できる範囲が広がること。【解決手段】基板10と、基板10上に設けられた圧電薄膜14と、前記圧電薄膜14の少なくとも一部を挟んで設けられた下部電極12および上部電極16と、前記圧電薄膜14を挟み前記下部電極12および上部電極16が対向する共振領域50と、前記圧電薄膜14と上部電極16との間の前記共振領域50に設けられ、前記共振領域50とは異なる形状である第1付加膜28と、を備える圧電薄膜共振器を具備する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)