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1. (WO2011021458) 半導体レーザ及びその製造方法、光モジュール、光伝送システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021458    国際出願番号:    PCT/JP2010/062078
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 16.07.2010
予備審査請求日:    15.11.2010    
IPC:
H01S 5/12 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01)
出願人: QD LASER, INC. [JP/JP]; Keihin Bldg., 1st Fl., 1-1, Minamiwatarida-cho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2100855 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Hayato [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Yu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHI, Kenichi; (JP).
KONDO, Hayato; (JP).
TANAKA, Yu; (JP)
代理人: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building, 6-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2009-190936 20.08.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, OPTICAL MODULE, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, MODULE OPTIQUE ET SYSTÈME DE TRANSMISSION OPTIQUE
(JA) 半導体レーザ及びその製造方法、光モジュール、光伝送システム
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor laser provided with a quantum dot active layer (16) which comprises a plurality of quantum dots (38) and in which a region (40) with a high density of quantum dots (38)and a region (42) with a low density thereof are periodically repeated, a diffraction grating layer (14) which is formed on the upper side or lower side of the quantum dot active layer (16) and comprises a diffraction grating (30) consisting of periodic projections and depressions, a lower cladding layer (12) having a first conductivity type (n type), and an upper cladding layer (18) having a second conductivity type (p type) that is a conductivity type reverse to the first conductivity type, the lower cladding layer and the upper classing layer being formed so as to sandwich the quantum dot active layer (16) and the diffraction grating layer (14) therebetween in a vertical direction.
(FR)L'invention porte sur un laser à semi-conducteur comportant une couche active à points quantiques (16) qui comprend une pluralité de points quantiques (38) et dans laquelle une région (40) avec une densité élevée de points quantiques (38) et une région (42) avec une densité faible de ceux-ci sont répétées de façon périodique, une couche de réseau de diffraction (14) qui est formée sur le côté supérieur ou le côté inférieur de la couche active à points quantiques (16) et comprend un réseau de diffraction (30) constitué de saillies et de creux périodiques, une couche de revêtement inférieure (12) ayant un premier type de conductivité (type n), et une couche de revêtement supérieure (18) ayant un second type de conductivité (type p) qui est un type de conductivité contraire au premier type de conductivité, la couche de revêtement inférieure et la couche de revêtement supérieure étant formées de façon à prendre en sandwich la couche active à points quantiques (16) et la couche de réseau de diffraction (14) entre celles-ci dans une direction verticale.
(JA) 本発明は、複数の量子ドット38を有し、量子ドット38の密度が密な領域40と疎な領域42とが周期的に繰り返された量子ドット活性層16と、量子ドット活性層16の上側又は下側に形成され、周期的な凹凸からなる回折格子30を有する回折格子層14と、量子ドット活性層16と回折格子層14とを上下方向から挟み込むように形成された第1導電型(n型)を有する下部クラッド層12と第1導電型と反対の導電型の第2導電型(p型)を有する上部クラッド層18と、を具備する半導体レーザである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)