WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011021317) 半導体デバイス及びそれを用いた半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021317    国際出願番号:    PCT/JP2010/001169
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 23.02.2010
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKANO, Sumiaki; (米国のみ)
発明者: NAKANO, Sumiaki;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2009-190385 19.08.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR APPARATUS USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) 半導体デバイス及びそれを用いた半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device which is provided with: an electrode pad (4) formed on a substrate (5); a first protecting film (3), which is formed on the substrate (5) and the electrode pad (4), and has a first opening having the electrode pad (4) exposed therefrom; an under barrier metal (2), which is formed on the electrode pad (4) such that the under barrier metal covers the edge portion of the first opening in the first protecting film (3); and a bump (6) formed on the under barrier metal (2). The contact angle between the under barrier metal (2) and the first protecting film (3) on the edge portion of the under barrier metal (2) is less than 90°, and the contact angle between the bump (6) and the under barrier metal (2) on the edge portion of the bump (6) is less than 90°.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comporte : un plot d'électrode (4) formé sur un substrat (5) ; un premier film protecteur (3), qui est formé sur le substrat (5) et le plot d'électrode (4), et a une première ouverture ayant le plot d'électrode (4) exposé à partir de celle-ci ; un métal sous-barrière (2), qui est formé sur le plot d'électrode (4) de telle sorte que le métal sous-barrière recouvre la partie de bord de la première ouverture dans le premier film protecteur (3) ; et un bossage (6) formé sur le métal sous-barrière (2). L'angle de contact entre le métal sous-barrière (2) et le premier film protecteur (3) sur la partie de bord du métal sous-barrière (2) est inférieur à 90°, et l'angle de contact entre le bossage (6) et le métal sous-barrière (2) sur la partie de bord du bossage (6) est inférieur à 90°.
(JA) 半導体デバイスは、基板(5)の上に形成された電極パッド(4)と、基板(5)及び電極パッド(4)の上に形成され、電極パッド(4)を露出する第1の開口部を有する第1の保護膜(3)と、電極パッド(4)の上に、第1の保護膜(3)における第1の開口部の周縁部を覆うように形成されたアンダーバリアメタル(2)と、アンダーバリアメタル(2)の上に形成されたバンプ(6)とを備えている。アンダーバリアメタル(2)の周縁部におけるアンダーバリアメタル(2)と第1の保護膜(3)との接触角は90°未満とし、バンプ(6)の周縁部におけるバンプ(6)とアンダーバリアメタル(2)との接触角は90°未満とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)