WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011021244) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/021244    国際出願番号:    PCT/JP2009/003993
国際公開日: 24.02.2011 国際出願日: 20.08.2009
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED [JP/JP]; 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ASAMI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ASAMI, Noriyuki; (JP)
代理人: KAWAKAMI, Koji; OWA PATENT FIRM, 9th Floor, Meikai-Sannomiya 2nd Building, 76-2, Kyo-machi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500034 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device manufacturing method wherein a cavity can be excellently formed around a wiring structure.  The semiconductor device manufacturing method has: a step of forming a first insulating film (13) above a semiconductor substrate (1); a step of forming, on the first insulating film (13), a second insulating film (14) having etching characteristics different from those of the first insulating film (13); a step of forming an opening section (14a) on the first insulating film (13) and the second insulating film (14); a step of forming a cavity (17) by widening the opening section (13) by etching the first insulating film (13) from inside the opening section (14a); a step of forming a third insulating film (18) inside the opening section (14a) while leaving the cavity (17); and a step of forming a conductive film (19) inside the opening section (14a) after forming the third insulating film (18).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur selon lequel une cavité peut être parfaitement formée autour d'une structure de circuit. Le procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur consiste en : une étape consistant à former une première pellicule isolante (13) au-dessus d'un substrat semi-conducteur (1) ; une étape consistant à former, sur la première pellicule isolante (13), une deuxième pellicule isolante (14) dont les caractéristiques de gravure sont différentes de celles de la première pellicule isolante (13) ; une étape consistant à former une section d'ouverture (14a) sur la première pellicule isolante (13) et la deuxième pellicule isolante (14) ; une étape consistant à former une cavité (17) en élargissant la section d'ouverture (13) en gravant la première pellicule isolante (13) depuis l'intérieur de la section d'ouverture (14a) ; une étape consistant à former une troisième pellicule isolante (18) à l'intérieur de la section d'ouverture (14a) tout en laissant la cavité (17) ; et une étape consistant à former une pellicule conductrice (19) à l'intérieur de la section d'ouverture (14a) après avoir formé la troisième pellicule isolante (18).
(JA)配線構造の周囲で空洞を良好に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置の製造方法は、半導体基板1の上方に第1絶縁膜13を形成する工程と、第1絶縁膜13上に、第1絶縁膜13とはエッチング特性の異なる第2絶縁膜14を形成する工程と、第1絶縁膜13及び第2絶縁膜14に開口部14aを形成する工程と、開口部14aの内側から第1絶縁膜13をエッチングすることにより開口部13を広げ、空洞17を形成する工程と、空洞17を残したまま開口部14s内に第3絶縁膜18を形成する工程と、第3絶縁膜18を形成した後に開口部14a内に導電膜19を形成する工程とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)