WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011018984) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/018984    国際出願番号:    PCT/JP2010/063335
国際公開日: 17.02.2011 国際出願日: 05.08.2010
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
出願人: National University Corporation Chiba University [JP/JP]; 1-33, Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba 2638522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIKAWA Akihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHITANI Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUSAKABE Kazuhide [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIKAWA Akihiko; (JP).
ISHITANI Yoshihiro; (JP).
KUSAKABE Kazuhide; (JP)
代理人: TAKAHASHI Masayoshi; 1-3-703, Chiharadai-nishi, Ichihara-shi, Chiba 2900143 (JP)
優先権情報:
2009-185425 10.08.2009 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion device which detects, by means of intraband transition, infrared light inputted perpendicularly. The photoelectric conversion device is provided with: a first conductive layer composed of a first conductivity type material; a photosensitizing layer formed on the first conductive layer; a second conductive layer, which is formed on the photosensitizing layer and is composed of a second conductivity type material; and a deflecting section formed on the second conductive layer. The photosensitizing layer performs photoelectric conversion by means of intraband transition process. In such case, the deflecting section may be configured so as to surround the first conductive layer, the photosensitizing layer, and the second conductive layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique servant à détecter, par transition intrabande, une lumière infrarouge entrée perpendiculairement. Ce dispositif de conversion photoélectrique comprend : une première couche conductrice constituée d'un matériau d'un premier type de conductivité ; une couche photosensibilisante formée sur la première couche conductrice ; une deuxième couche conductrice formée sur la couche photosensibilisante et constituée d'un matériau d'un deuxième type de conductivité ; et une partie déflexion formée sur la deuxième couche conductrice. La couche photosensibilisante effectue la conversion photoélectrique par un processus de transition intrabande. Dans ce cas, la partie déflexion peut être configurée de sorte à entourer la première couche conductrice, la couche photosensibilisante et la deuxième couche conductrice.
(JA) 垂直入射する赤外光を、バンド内遷移によって検出する光電変換装置を提供する。 光電変換装置は、第1伝導型からなる第1伝導層と、前記第1伝導層上に形成される光増感層と、前記光増感層上に形成され、第2伝導型からなる第2伝導層と、前記第2伝導層上に形成される偏向部と、を備え、前記光増感層は、バンド内遷移過程による光電変換を行う。なおこの場合において、偏向部は、前記第1伝導層と、前記光増感層と、前記第2伝導層と、を囲むように構成されていてもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)