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1. (WO2011018942) 半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置を用いた照明装置および電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/018942    国際出願番号:    PCT/JP2010/062557
国際公開日: 17.02.2011 国際出願日: 26.07.2010
IPC:
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKABE, Takehiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUYA, Kyousuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKABE, Takehiko; (JP).
MASUYA, Kyousuke; (JP)
代理人: FURUBE, Jiro; SERIO PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS, 4F Yamaguchi kensetsu No.2 Building, 4-11, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2009-187712 13.08.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, ILLUMINATION DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE FAISANT APPEL AU DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置を用いた照明装置および電子機器
要約: front page image
(EN)The disclosed semiconductor light-emitting element is configured from layering an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer (160); and a first electrode (200), which is the cathode, is formed on the p-type semiconductor layer (160). Also, between the p-type semiconductor layer (160) and a reflecting layer (220b), the first electrode (200) is provided with a crystalline first transparent electrode layer (210) and a non-crystalline second transparent electrode layer (220a). The crystalline first transparent electrode layer (210) increases adhesion with the p-type semiconductor layer (160), and the non-crystalline second transparent electrode layer (220a) suppresses delamination of the reflecting layer (220b). Also, the first transparent electrode layer (210) and the second transparent electrode layer (220a) transmit light radiated from the light-emitting layer and suppress degradation of reflective characteristics. In this way, delamination of the reflective layer and degradation of reflective characteristics are suppressed in a semiconductor light-emitting element mounted using flip-chip (FC) mounting.
(FR)L'élément électroluminescent semi-conducteur de l'invention est conçu par l'application d'une couche semi-conductrice de type n, d'une couche électroluminescente, et d'une couche semi-conductrice de type p (160) ; et une première électrode (200), qui est la cathode, est formée sur la couche semi-conductrice de type p (160). De plus, entre la couche semi-conductrice de type p (160) et une couche réfléchissante (220b), la première électrode (200) est pourvue d'une première couche d'électrode transparente cristalline (210) et d'une seconde couche d'électrode non cristalline (220a). La première couche d'électrode transparente cristalline (210) augmente l'adhérence avec la couche semi-conductrice de type p (160), et la seconde couche d'électrode transparente non cristalline (220a) supprime le délaminage de la couche réfléchissante (220b). De plus, la première couche d'électrode transparente (210) et la seconde couche d'électrode transparente (220a) transmettent la lumière rayonnant depuis la couche électroluminescente et suppriment la dégradation des caractéristiques réfléchissantes. De cette manière, le délaminage de la couche réfléchissante et la dégradation des caractéristiques réfléchissantes sont supprimés dans un élément électroluminescent semi-conducteur monté à l'aide d'une connexion par billes (FC).
(JA)半導体発光素子は、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層160とが積層されて構成され、正極である第1の電極200は、p型半導体層160上に形成されている。そして、第1の電極200は、p型半導体層160と反射層220bとの間に、結晶質の第1の透明電極層210と非晶質の第2の透明電極層220aとを備えている。結晶質の第1の透明電極層210は、p型半導体層160との密着性を向上させ、非晶質の第2の透明電極層220aは、反射層220bの剥離を抑制する。そして、第1の透明電極層210と第2の透明電極層220aとは、発光層の出射する光を透過し、反射特性の劣化を抑制する。このように、フリップチップ(FC)にて実装される半導体発光素子の反射層の剥離および反射特性の劣化を抑制する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)