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1. (WO2011018895) スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/018895    国際出願番号:    PCT/JP2010/005029
国際公開日: 17.02.2011 国際出願日: 10.08.2010
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01), C22F 1/04 (2006.01), C22F 1/08 (2006.01), C22F 1/18 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAGIHARA, Junichirou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGASHI, Shuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMBARA, Shozo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAGIHARA, Junichirou; (JP).
HIGASHI, Shuichi; (JP).
KAMBARA, Shozo; (JP)
代理人: OMORI, Junichi; 2nd Floor U&M Akasaka Bldg., 7-5-47 Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2009-187272 12.08.2009 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING A SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)Provided are a sputtering target and a method for manufacturing a sputtering target whereby crystal grains can be made smaller and uniform. The provided manufacturing method includes a step in which a metal ingot is forged through the application of stress in a first direction (the z-axis) and in a plane (the xy-plane) orthogonal to the first direction. The ingot is further forged through the application of stress in second directions (directions c11, c12, c21, and c22) that diagonally intersect a direction parallel to the first direction. The ingot is then heat-treated at a temperature greater than or equal to the recrystallization temperature thereof. This method can cause deformation not only in a first direction and in a plane orthogonal thereto, but also in the aforementioned second directions, thereby making internal stresses uniform and increasing the density thereof.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation et un procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation permettant d'obtenir des grains cristallins plus petits et uniformes. Le procédé de fabrication proposé comprend une étape dans laquelle un lingot de métal est forgé par l'application d'une contrainte dans une première direction (l'axe z) et dans un plan (le plan xy) orthogonal à la première direction. Le lingot est en outre forgé par l'application d'une contrainte dans des secondes directions (directions c11, c12, c21 et c22) qui coupent en diagonale une direction parallèle à la première direction. Le lingot est ensuite traité thermiquement à une température supérieure ou égale à sa température de recristallisation. Ce procédé peut entraîner une déformation non seulement dans une première direction et dans un plan qui lui est orthogonal, mais également dans les secondes directions susmentionnées, ce qui rend les contraintes internes uniformes et augmente leur densité.
(JA)【課題】結晶粒の微細化と均一化を可能とするスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第1の軸方向(z軸方向)及び上記第1の軸方向と直交する平面方向(xy平面方向)に応力を加えることで、金属のインゴットを鍛造する工程を含む。上記第1の軸方向と平行な方向に斜めに交差する第2の軸方向(c11、c12、c21、c22軸方向)に応力を加えることで、上記インゴットはさらに鍛造される。上記インゴットは、その再結晶温度以上の温度で熱処理される。このように、第1の軸方向及びこれと直交する平面方向だけでなく、第2の軸方向にも辷り変形を生じさせることができるため、内部応力の高密度化、均一化が図れる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)