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1. (WO2011018842) 低抵抗のチップ形抵抗器とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/018842    国際出願番号:    PCT/JP2009/064180
国際公開日: 17.02.2011 国際出願日: 11.08.2009
IPC:
H01C 3/00 (2006.01)
出願人: KAMAYA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 8-4-17, Fukayanaka, Ayase-shi, Kanagawa 2521107 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUKAWA Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRANO Tatsuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TODA Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUKAWA Osamu; (JP).
HIRANO Tatsuki; (JP).
TODA Atsushi; (JP)
代理人: SAKAI Hajime; Nihon Jitensha Kaikan, 9-15, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) LOW-RESISTANCE CHIP RESISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) RÉSISTANCE PAVÉ À FAIBLE RÉSISTANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 低抵抗のチップ形抵抗器とその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a low-resistance chip resistor having a simple structure in which self-independence is given and the mechanical strength is increased for durability, and an easier and faster method of manufacturing same.  A low-resistance chip resistor characterized in that resistive layers are formed on both the front and back surfaces of an insulating substrate, or insulating substrates are formed on both the front and back surfaces of a resistive layer, that in the former, protective films are formed on the central portions of the resistive layers in the longitudinal direction and surface and back electrodes are formed on the resistive layers on both sides of the protective films, and in the latter, surface and back electrodes are formed on the resistive layers on both sides of the substrates, and that in both the former and latter, end surface electrodes are provided at both ends in the width direction.
(FR)Cette invention concerne une résistance pavé à faible résistance dotée d'une structure simple, présentant une impédance propre et une résistance mécanique accrue à des fins de durabilité. L'invention concerne en outre un procédé qui rend la fabrication de ladite résistance plus aisée et plus rapide. La résistance pavé de la présente invention est caractérisée en ce que des couches résistives sont formées sur les deux surfaces, avant et arrière, d'un substrat isolant, ou bien en ce que des substrats isolants sont formés sur les deux surfaces, avant et arrière, d'une couche résistive. Ladite résistance est en outre caractérisée en ce que, dans le premier cas, des films protecteurs sont formés sur les parties centrales des couches résistives dans le sens longitudinal et des électrodes de surface ainsi que des électrodes arrière sont formées sur les couches résistives des deux côtés des films protecteurs. Dans le deuxième cas, des électrodes de surface ainsi que des électrodes arrière sont formées sur les couches résistives des deux côtés des substrats. Ladite résistance est de plus caractérisée en ce que dans les deux cas, les électrodes de surface sont disposées aux deux extrémités dans le sens de la largeur.
(JA) 抵抗値のチップ形抵抗器に自己自立性を持たせ、かつ機械的強度を上げて耐久性を有する簡易な構成とし、かつその製造方法を容易かつ迅速にしたものである。絶縁基板の表裏両面に抵抗層を形成するか、抵抗層の表裏両面に絶縁基板を形成したものを用い、前者においては長手方向の抵抗層の中央部に保護膜を形成し、その保護膜の両側の抵抗層上に表裏電極を形成し、後者にあっては基板の両側の抵抗層上に表裏電極を形成し、両者共に幅方向の両端を端面電極を設けたことを特徴とする低抵抗のチップ形抵抗器。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)