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World Intellectual Property Organization
1. (WO2011018839) 半導体装置の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/018839    国際出願番号:    PCT/JP2009/064158
国際公開日: 17.02.2011 国際出願日: 11.08.2009
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
出願人: Fujitsu Semiconductor Limited [JP/JP]; 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUMISE, Takaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUMISE, Takaaki; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A first resist pattern (22) is formed by processing a lower layer resist (19) by lithography by using a first reticle (101) having a first mask pattern (102) extending in a first direction, a second resist pattern (23) is formed by processing an upper layer resist (21) by lithography by using a second reticle (104) having a second mask pattern (103) extending in a second direction different from the first direction, and an opening pattern (24a) which partially exposes surfaces of insulating films (17a, 17b) is formed in a desired rectangular shape on a section where the first resist pattern (22) and the second resist pattern (23) intersect with each other.  The insulating films (17a, 17b) are etched by using, as an etching mask, a double-layer mask (24) having the opening pattern (24a), and a connecting hole (25) having the desired rectangular shape in accordance with the opening pattern (24a) is formed on the insulating film.
(FR)Un premier motif de réserve (22) est formé par traitement d'une réserve de couche inférieure (19) par lithographie en utilisant un premier réticule (101) comportant un premier motif de masque (102) s'étendant dans une première direction. Un second motif de réserve (23) est formé par traitement d'une réserve de couche supérieure (21) par lithographie en utilisant un second réticule (104) comportant un second motif de masque (103) s'étendant dans une seconde direction, différente de la première direction. Un motif d'ouverture (24a,) exposant partiellement des surfaces de films isolants (17a, 17b), est façonné de façon à avoir une forme rectangulaire souhaitée sur une section où se recoupent le premier motif de réserve (22) et le second motif de réserve (23). Les films isolants (17a, 17b) sont gravés en utilisant, comme masque de gravure, un masque à double couche (24) comportant le motif d'ouverture (24a). Un trou de connexion (25), comportant la forme rectangulaire souhaitée conforme au motif d'ouverture (24a), est formé sur le film isolant.
(JA) 第1方向に延在する第1マスクパターン(102)を有する第1レチクル(101)を用いて、下層のレジスト(19)をリソグラフィーで加工して第1レジストパターン(22)を形成し、第1方向とは相違する第2方向に延在する第2マスクパターン(103)を有する第2レチクル(104)を用いて、上層のレジスト(21)をリソグラフィーで加工して第2レジストパターン(23)を形成して、第1レジストパターン(22)と第2レジストパターン(23)との交差部分に、絶縁膜(17a,17b)の表面の一部を露出させる開口パターン(24a)を所望の矩形状に形成する。この開口パターン(24a)を有する2層のレジストマスク(24)をエッチングマスクとして用いて、絶縁膜(17a,17b)をエッチングし、絶縁膜に開口パターン(24a)に倣った所望の矩形状の接続孔(25)を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)