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1. (WO2011018829) 薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/018829    国際出願番号:    PCT/JP2009/004551
国際公開日: 17.02.2011 国際出願日: 14.09.2009
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NUSOLA INC. [JP/JP]; 4-750-3, Inaho, Nagaoka, Niigata 9400877 (JP) (米国を除く全ての指定国).
BRICENO, Jose [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: BRICENO, Jose; (JP)
代理人: HAYASAKI, Osamu; Room 602, Scenthills Yoyogi Bldg., 55-14, Yoyogi 1-Chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510053 (JP)
優先権情報:
2009-186248 11.08.2009 JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À FILM MINCE
(JA) 薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a thin-film photoelectric conversion element of which the thickness can be reduced to several tens of nanometers or less.  Also disclosed is a method for manufacturing the thin-film photoelectric conversion element.  The thin-film photoelectric conversion element comprises a metal silicide layer that is formed on a surface of a silicon substrate as a result of the diffusion of a first metal and silicon, an electroconductive thin-film layer that is formed on a second metal thin-film layer-stacked site on the surface of the silicon substrate, and a silicon diffused part that is arranged around the surface of the silicon substrate and between the metal silicide layer and the electroconductive thin-film layer and is formed as a result of the diffusion of nano-particles of silicon. When light is applied to the metal silicide layer or the electroconductive thin-film layer that forms a Schottky interface with the silicon substrate in the stacking direction, a photoinduced current is generated between the metal silicide layer and the electroconductive thin-film layer on the surface of the silicon substrate.
(FR)La présente invention se rapporte à un élément de conversion photoélectrique à film mince dont l'épaisseur peut être réduite à plusieurs dizaines de nanomètres ou moins. L'invention se rapporte également à un procédé de fabrication de l'élément de conversion photoélectrique à film mince. L'élément de conversion photoélectrique à film mince comprend une couche de siliciure métallique qui est formée sur une surface d'un substrat de silicium suite à la diffusion d'un premier métal et de silicium, une couche électroconductrice à film mince qui est formée sur un second emplacement d'empilement de couches métalliques à film mince sur la surface du substrat de silicium, et une partie de silicium diffusé qui est placée autour de la surface du substrat de silicium et entre la couche de siliciure métallique et la couche électroconductrice à film mince et qui est formée suite à la diffusion de nanoparticules de silicium. Lorsque la lumière est appliquée à la couche de siliciure métallique ou à la couche électroconductrice à film mince qui forme une interface Schottky avec le substrat de silicium dans la direction d'empilement, un courant photo-induit est produit entre la couche de siliciure métallique et la couche électroconductrice à film mince sur la surface du substrat de silicium.
(JA) 数10nm以下の厚さに薄型化が可能な薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法を提供する。 シリコン基板の表面に第1金属とシリコンが拡散して形成される金属シリサイド層と、シリコン基板の表面の第2金属薄膜層の積層部位に形成される導電薄膜層と、前記金属シリサイド層と前記導電薄膜層との間のシリコン基板の表面付近にシリコンのナノ粒子が拡散して形成されるシリコン拡散部とを備え、シリコン基板との積層方向にショットキー界面が形成される金属シリサイド層若しくは導電薄膜層へ光を照射し、シリコン基板の表面の金属シリサイド層と導電薄膜層間に光誘起電流を発生させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)