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1. (WO2011016388) 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/016388    国際出願番号:    PCT/JP2010/062817
国際公開日: 10.02.2011 国際出願日: 29.07.2010
IPC:
C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01)
出願人: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA Tokuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ABE Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAYAMA Tokuyuki; (JP).
ABE Yoshiyuki; (JP)
代理人: KAWABI Kenji; Higashi-ikebukuro Orimoto Bldg., 6th floor, 9-7, Higashi-ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2009-182761 05.08.2009 JP
発明の名称: (EN) OXIDE SINTER, METHOD FOR PRODUCING SAME, TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) FRITTE D'OXYDE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, FILM CONDUCTEUR CIBLE ET TRANSPARENT
(JA) 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜
要約: front page image
(EN)Disclosed are a sputtering target which ensures high-speed and nodule-less formation of a transparent conductive film that is suitable for blue LEDs and solar batteries, an oxide sinter that is optimal for obtaining the target, and a method for producing the oxide sinter. Specifically disclosed is an oxide sinter which comprises indium and cerium in the form of oxides together with one or more kinds of metallic elements (M elements), in the form of oxides, selected from the metallic element group consisting of titanium, zirconium, hafnium, molybdenum and tungsten, and has a cerium content of 0.3-9 at% in terms of Ce/(In+Ce+M) atom number ratio, an M element content of 1 at% or less in terms of M/(In+Ce+M) atom number ratio, and a total content of cerium and M elements of 9 at% or less in terms of (Ce+M)/ (In+Ce+M) atom number ratio, wherein an In2O3 phase having a bixbite structure is the main crystalline phase and a CeO2 phase having a fluorite structure, which is a secondary phase, is finely dispersed in the form of crystal grains having an average grain diameter of 3 μm or less.
(FR)Cette invention concerne une cible de pulvérisation qui garantit la formation à grande vitesse et sans nodules d'un film conducteur transparent approprié pour DEL bleues et batteries solaires, une fritte d'oxyde qui est optimale pour obtenir la cible, et un procédé de production de la fritte d'oxyde. Plus spécifiquement, cette invention concerne une fritte d'oxyde qui comprend de l'indium et du cérium sous forme d'oxydes et un ou plusieurs types d'éléments métalliques (éléments M), sous forme d'oxydes, choisis dans le groupe des éléments métalliques comprenant le titane, le zirconium, le hafnium, le molybdène et le tungstène, et ayant une teneur de cérium de 0,3 à 9 % at. en termes de rapport des nombres d'atomes Ce/(In+Ce+M), une teneur en éléments M de 1 % at. ou moins en termes de rapport des nombres d'atomes M/(In+Ce+M), et une teneur totale en cérium et éléments M de 9 % at. ou moins en termes de rapport des nombres d'atomes (Ce+M)/(In+Ce+M). Dans ladite fritte d'oxyde, une phase In2O3 ayant une structure bixbite est la phase cristalline principale et une phase CeO2 ayant une structure fluorite, qui est une phase secondaire, est finement dispersée sous forme de grains cristallins ayant un diamètre de grain moyen de 3 µm ou moins.
(JA)【課題】青色LEDや太陽電池に適した透明導電膜の高速成膜とノジュールレス成膜を実現できるスパッタリング用ターゲット、それを得るために最適な酸化物焼結体とその製造方法の提供。【解決手段】インジウムとセリウムを酸化物として含有し、さらに、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上の金属元素(M元素)を酸化物として含有し、セリウムの含有量がCe/(In+Ce+M)原子数比で0.3~9原子%、かつM元素の含有量がM/(In+Ce+M)原子数比で1原子%以下、かつセリウムとM元素の総含有量が(Ce+M)/(In+Ce+M)原子数比で9原子%以下である酸化物焼結体であって、該酸化物焼結体は、ビックスバイト型構造のIn相が主たる結晶相となり、第2相として蛍石型構造のCeO相が平均粒径3μm以下の結晶粒として微細に分散している酸化物焼結体。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)