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1. (WO2011016304) 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/016304    国際出願番号:    PCT/JP2010/061148
国際公開日: 10.02.2011 国際出願日: 30.06.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMIYA Shigeaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYOSHI Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIYAMA Tomohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ICHIMURA Mikiya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KURAOKA Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUMIYA Shigeaki; (JP).
MIYOSHI Makoto; (JP).
SUGIYAMA Tomohiko; (JP).
ICHIMURA Mikiya; (JP).
KURAOKA Yoshitaka; (JP).
TANAKA Mitsuhiro; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2009-184066 07.08.2009 JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a nitride epitaxial substrate using single-crystal silicon as a base substrate and having excellent quality and characteristics. Specifically disclosed is an epitaxial substrate configured by forming a group-III nitride layer group on a (111) single-crystal silicon substrate such that the (0001) crystal plane is approximately parallel to the substrate surface, the epitaxial substrate being provided with a first group-III nitride layer produced from AlN and formed on the base substrate, a second group-III nitride layer produced from InxxAlyyGazzN (xx+yy+zz=1, 0≤xx≤1, 0
(FR)La présente invention a trait à un substrat épitaxial de nitrure utilisant du silicium monocristallin en tant que substrat de base et ayant une excellente qualité et d'excellentes caractéristiques. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un substrat épitaxial configuré en formant un groupe de couches de nitrure de groupe III sur un (111) substrat de silicium monocristallin de manière à ce que le (0001) plan cristallin soit approximativement parallèle à la surface du substrat, le substrat épitaxial étant pourvu d'une première couche de nitrure de groupe III produite à partir de AlN et formée sur le substrat de base, d'une deuxième couche de nitrure de groupe III produite à partir de InxxAlyyGazzN (xx + yy + zz = 1, 0 ≤ xx ≤ 1, 0 < yy ≤ 1, 0 < zz ≤ 1) et formée sur la première couche de nitrure de groupe III, et d'au moins une troisième couche de nitrure de groupe III formée de façon épitaxiale sur la deuxième couche de nitrure de groupe III, laquelle première couche de nitrure de groupe III est une couche contenant de multiples défauts, configurée à partir d'au moins un type de cristaux ou de domaines en colonne ou granulaires, et l'interface entre la première couche de nitrure de groupe III et la deuxième couche de nitrure de groupe III est une surface ondulée tridimensionnelle.
(JA) 単結晶シリコンを下地基板とし、品質および特性の優れた窒化物エピタキシャル基板を提供する。(111)単結晶シリコン基板の上に、基板面に対し(0001)結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなるエピタキシャル基板が、下地基板の上に形成された、AlNからなる第1のIII族窒化物層と、第2のIII族窒化物層の上に形成され、InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz=1、0≦xx≦1、0<yy≦1、0<zz≦1)からなる第2のIII族窒化物層と、第2のIII族窒化物層の上にエピタキシャル形成された少なくとも1つの第3のIII族窒化物層と、を備え、第1のIII族窒化物層が柱状あるいは粒状の結晶もしくはドメインの少なくとも一種から構成される多欠陥含有層であり、第1のIII族窒化物層と第2のIII族窒化物層との界面が3次元的凹凸面であるようにする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)