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1. (WO2011016286) アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/016286    国際出願番号:    PCT/JP2010/059960
国際公開日: 10.02.2011 国際出願日: 11.06.2010
IPC:
G02F 1/1345 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUBATA, Toshihide; (米国のみ).
YAMASHIKI, Kohichi; (米国のみ).
SUGIMOTO, Mitsuhiro; (米国のみ).
NAKATAKE, Yasuhiro; (米国のみ)
発明者: TSUBATA, Toshihide; .
YAMASHIKI, Kohichi; .
SUGIMOTO, Mitsuhiro; .
NAKATAKE, Yasuhiro;
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2009-181658 04.08.2009 JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY PANEL, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, PANNEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an active matrix substrate (130) provided with: a lead wire going from a switching element to the surrounding region (105); a pad area (112) that is positioned above said surrounding region (105) and formed on the lead wire; an insulating layer that is formed so as to cover the pad area (112), has a contact hole (170) formed therein that extends to the pad area (112), and includes a planarization film (138) positioned uppermost and a passivation film (137) and gate insulation film (133) positioned below the planarization film (138); and an ITO film (141) positioned inside the contact hole (170) and formed on top of the pad area (112). The ITO film (141) is formed so as to separate from the planarization film (138).
(FR)L'invention concerne un substrat de matrice active (130) muni : d'un fil de sortie allant depuis un élément de commutation jusqu'à la zone environnante (105) ; d'une surface de plage de connexion (112) qui est positionnée au-dessus de ladite zone environnante (105) et formée sur le fil de sortie ; d'une couche isolante qui est formée de façon à recouvrir la surface de plage de connexion (112), possède un alésage de contact (170) formé dans celle-ci, lequel s'étend vers la zone de plage de connexion (112) et inclut un film d'aplanissement (138) positionné au plus haut, un film de passivation (137) et un film d'isolement de grille (133) positionné en dessous du film d'aplanissement (138) ; ainsi que d'un film d'oxyde étain-indium (ITO) (141) positionné à l'intérieur de l'alésage de contact (170) et formé au sommet de la surface de plage de connexion (112). Le film d'oxyde étain-indium (141) est formé de façon à réaliser une séparation par rapport au film d'aplanissement (138).
(JA) アクティブマトリックス基板(130)は、スイッチング素子から周辺領域(105)に引き出された引き出し配線と、引き出し配線に形成され、周辺領域(105)上に位置するパッド部(112)と、最上層に位置する平坦化膜(138)および平坦化膜(138)下に位置するパッシベーション膜(137)およびゲート絶縁膜(133)を含み、パッド部(112)を覆うように形成されると共に、パッド部(112)に達するコンタクトホール(170)が形成された絶縁層と、コンタクトホール(170)内に位置し、パッド部(112)上に形成されたITO膜(141)とを備え、ITO膜(141)は平坦化膜(138)から離れるように形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)