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1. (WO2011016201) 発光素子および発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/016201    国際出願番号:    PCT/JP2010/004769
国際公開日: 10.02.2011 国際出願日: 27.07.2010
IPC:
H01L 33/10 (2010.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HORI, Atsuhiro; (米国のみ).
KAMEI, Hidenori; (米国のみ)
発明者: HORI, Atsuhiro; .
KAMEI, Hidenori;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2009-183011 06.08.2009 JP
発明の名称: (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子および発光装置
要約: front page image
(EN)Disclosed are a light-emitting element and a light-emitting device, both of which enable the improvement in light extraction efficiency. Specifically disclosed is a light-emitting element (10) which comprises: a substrate (1) which has light permeability; a semiconductor layer (2) which comprises an n-type layer (2a), an active layer (2b) and a p-type layer (2c) laminated on one another; a reflective electrode (3) which is laminated on the semiconductor layer (2) and can reflect a light that enters from the active layer (2b) toward the direction of the substrate (1); a p-side pad electrode (4) which is laminated on the reflective electrode (3); an insulating film (6) which covers the side face of the semiconductor layer (2) and has light permeability; a reflective film (7) which is laminated on the insulating film (6) and has light reflectivity; and an n-side electrode (5) which is arranged on the substrate (1).
(FR)L'invention porte sur un élément électroluminescent et un dispositif électroluminescent, permettant tous les deux d'améliorer le rendement d'extraction de lumière. L'invention décrit spécifiquement un élément électroluminescent (10) comprenant : un substrat (1) perméable à la lumière, une couche semi-conductrice (2) comprenant une couche de type n (2a), une couche active (2b) et une couche de type p (2c) stratifiées l'une sur l'autre, une électrode réfléchissante (3) stratifiée sur la couche semi-conductrice (2) et pouvant réfléchir une lumière pénétrant depuis la couche active (2b) dans la direction du substrat (1), une électrode de plot côté p (4) stratifiée sur l'électrode réfléchissante (3), un film isolant (6) recouvrant la face latérale de la couche semi-conductrice (2) et perméable à la lumière, un film réfléchissant (7) stratifié sur le film isolant (6) et réfléchissant la lumière, et une électrode côté n (5) agencée sur le substrat (1).
(JA) 光取り出し効率を高めることができる発光素子および発光装置を提供する。 発光素子10は、光透過性を有する基板1と、n型層2a、活性層2bおよびp型層2cを積層した半導体層2と、半導体層2に積層され、前記活性層2bからの光を基板1方向へ反射する反射電極3と、反射電極3に積層されたp側パッド電極4と、半導体層2の側面を覆い光透過性を有する絶縁膜6と、絶縁膜6上に積層された光反射性を有する反射膜7と、基板1に設けられたn側電極5とを備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)