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1. (WO2011016121) 成膜装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/016121    国際出願番号:    PCT/JP2009/063939
国際公開日: 10.02.2011 国際出願日: 06.08.2009
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASHIMOTO, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANABE, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HASHIMOTO, Shin; (JP).
TANABE, Tatsuya; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
(JA) 成膜装置
要約: front page image
(EN)When a film is formed on a semiconductor substrate (10) or the like in a heating atmosphere, the semiconductor substrate (10) is considerably warped (bent) due to the rise of temperature only.  The warping of the substrate causes problems such as deterioration of quality uniformity of the film formed on the substrate (10) or increased susceptibility of the substrate (10) to cracks.  A film-forming apparatus (200) of the present invention reduces the temperature gradient (temperature difference) between the upper side and the lower side of a major surface of the substrate (10) by heating the major surface from both the upper and lower sides, thereby suppressing warping of the substrate (10).  Preferably, the film-forming apparatus (200) also comprises a measuring unit (5) for measuring the curvature or warping of the substrate (10).
(FR)Lorsqu'un film est formé sur un substrat semi-conducteur (10) ou un élément analogue dans une atmosphère chauffée, le substrat semi-conducteur (10) subit un gauchissement (courbure) considérable uniquement dû à l'élévation de température. Le gauchissement du substrat cause des problèmes tels qu'une détérioration de l'uniformité de qualité du film formé sur le substrat (10) ou une augmentation de la sensibilité du substrat (10) à la fissuration. L'appareil de formation de film (200) selon la présente invention réduit le gradient de température (différence de température) entre le côté supérieur et le côté inférieur de la surface principale du substrat (10) par chauffage de la surface principale depuis les côtés supérieur et inférieur, supprimant de ce fait le gauchissement du substrat (10). L'appareil de formation de film (200) comprend également de préférence une unité de mesure (5) destinée à mesurer la courbure ou gauchissement du substrat (10).
(JA) 半導体基板(10)などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板(10)には相当の反り(湾曲)が発生する。反りが原因で、基板(10)上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板(10)にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。このため本発明の成膜装置(200)は、基板(10)の主表面の上側と下側との両方から基板(10)を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配(温度差)を小さくし、基板(10)の反りを抑制する。基板(10)の曲率または反りを測定する測定部(5)を備えることがさらに好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)