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1. (WO2011013657) 化合物半導体の製造方法および光電変換装置の製造方法ならびに半導体形成用溶液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013657    国際出願番号:    PCT/JP2010/062604
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 27.07.2010
IPC:
H01L 21/368 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
INAI, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAWA, Yoshihide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Isamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: INAI, Seiichiro; (JP).
OKAWA, Yoshihide; (JP).
TANAKA, Isamu; (JP).
YAMADA, Koichiro; (JP)
優先権情報:
2009-177632 30.07.2009 JP
2009-198390 28.08.2009 JP
2009-198391 28.08.2009 JP
2009-198428 28.08.2009 JP
2009-240313 19.10.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SOLUTION FOR FORMING SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SOLUTION POUR RÉALISATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 化合物半導体の製造方法および光電変換装置の製造方法ならびに半導体形成用溶液
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a compound semiconductor layer, which comprises: a step of preparing a solution for forming a semiconductor, wherein a metal starting material that contains either a group I-B element and/or a group III-B element is dissolved, in a metal state, into a mixed solvent that contains a chalcogen element-containing organic compound and a Lewis basic organic compound; a step of forming a coating film using the solution for forming a semiconductor; and a step of subjecting the coating film to a heat treatment.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de semi-conducteur composé, comprenant : une étape de préparation d'une solution pour réalisation d'un semi-conducteur, dans laquelle on dissout un matériau métallique de départ contenant un élément du groupe I-B ou un élément du groupe III-B, dans son état métallique, dans un solvant mixte contenant un composé organique comportant un élément chalcogène et un composé organique basique de Lewis, une étape de constitution d'un film de revêtement au moyen de la solution pour réalisation d'un semi-conducteur, et une étape de soumission du film de revêtement à un traitement thermique.
(JA) 化合物半導体層の製造方法は、カルコゲン元素含有有機化合物およびルイス塩基性有機化合物を含む混合溶媒に、I-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも一方を含む金属原料を金属の状態で溶解させて半導体形成用溶液を作製する工程と、該半導体形成用溶液を用いて皮膜を作製する工程と、該皮膜を熱処理する工程とを具備する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)